多练出技巧 巧思出硕果
发信人: pretestest (每天爱你多一些), 信区: Pretest 标 题: 微电子器件与电路期中考题--张莉老师 发信站: 自由空间 (Tue Apr 22 13:56:39 2008), 站内
注：以下u代指迁移率，O代指电势(fai)，A代表埃，o代表电导率sigma
一.填空题（3'/空*11）
1.体心立方a0=4A，求(1,1,0)面的原子面密度 2.掺杂纳米能级与温度： A有关 B无关
3.本征半导体是： A电阻率高 B费米能级位于禁带中心 C不含杂质 D记不住了 4.导带电子几率为0，必然是：A,B,C,D，记得有一个是T=0K，别的记不住了 5.在Ef+kT处的费米概率=__何处____的空穴概率 6.已知Un=1350,求Dn
7.已知导体两端电压1V，长度0.5cm，此时v=1000cm/s。求u 8.载流子的复合机制
9.PN结，已知Na=1e16，Nd=5e18，求Vbi，W，C'
二.已知Nd=2e16，整体表现为P型，p0=5e17，已知ni=1.8e6.up=300，un=4000 (1)求Na (2)求n0 (3)求OFp (4)o
三.已知Na=1e16 (1)求功函数
(2)分别与Al，Au，Mo接触时，形成什么接触？已知X=4.01,4.28,5.1,4.6 (3)画出与Al的能带图
四.四副MOSFET典型图，分别问： (1)n型还是p型？
(2)是积累，反型还是耗尽？ (3)画出书上Figure6.12 (d)的能带图
五.习题6.15中 把Ef-Ec改成0.1eV，Nd改成1.5e16，t0改成400A，加上Qss=1e10
发信人: Pretest (我是匿名天使), 信区: Pretest 标 题: 微电子器件电子学_张莉_20050414 发信站: 自由空间 (Sun Apr 17 09:49:42 2005), 站内
感觉张jj和田nn一个风格，很注重物理过程和概念的理解，计算简单。
一、选择题
1、因为热载流子效应电子进入栅氧化层，作BT+处理后，C-V曲线向____移。（左/右/不动） 2、半导体功函数的概念
3、7个效应：沟长调制、DIBL、热载流子、沟道宽度调制、衬偏调制（剩下两个忘了），给出一
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堆现象，让选择原因。 其他不记得了
二、简答
1、反型层形成时，空间电荷区宽度达到max，解释原因
2、场氧化层和栅氧化层的区别，LOCOS隔离技术（忘了是全凹陷还是半凹陷了）对VT的影响。
三、计算
1、nMOS（pMOS？），已知金属和半导体的功函数，氧化层电子面密度，求VFB，定性画高频C-V图。
2、给出一条理想VDS-ID曲线，曲线上有三个点，分别在线性区、临界饱和区、饱和区，已知VT和临界VDS，画电荷分布图，求VGS、反型层电荷面密度、源端和漏端电子速度、VGS=3V时的IDS之类。
3、pMOSFET工作在非饱和区，画出源端和漏端能带图。
发信人: tinypotato (每天爱你多一些), 信区: Pretest 标 题: 微电子器件与电路期中_许军老师_6字班_08.11 发信站: 自由空间 (Mon Nov 10 22:29:44 2008), 站内
原题为英语，本题目为转译回忆
前四题均为Si材料，最后一题如题所述，为GaAs
一.体心立方，a0=4.75A，求(1)原子体密度；(2)(110)面面密度
二.计算f(E)=0.05和f(E)=0.95下列两种情形下对应能量的range，Ef=7.0eV (1)T=300K (2)T=500K
三.Na=5e16，Nd=2e17，T=300K，求： (1)n0,p0
(2)Fermi能级的位置 注：老师说以Ef，Ec，Ev作相对点均可
四.Nd=5e17，Na=1e16，T=300K，求： (1)求本征情况下的xn,xp,W,Emax
(2)外加反向偏压V=3V时，求此时的空间电荷区宽度W'，电容C
五.GaAs材料，T=300K，Nd=7e18，fai(B0)=0.8V，Vbi此种情形下可以近似认为是fai(B0)，即Vbi=fai(B0) 求空间电荷区宽度
清华大学半导体器件张莉期中考题
