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集成电路设计基础作业题解答(5~7)

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第五次作业

4.14、改正图题4.14所示TTL电路的错误。 如下图所示:

解答:

(a)、Y?A?B?0?A?B,A,B与非输出接基极,Q的发射极接地。从逻辑上把Q管看作单管禁止门便可得到Y?A?B。逻辑没有错误!

若按照题干中所示接法,当TTL与非门输出高电平时,晶体管Q的发射结要承受高压,必然产生巨大的电流。为了不出现这种情况,可以在基极加一电阻或者在发射极加一二极管。但发射极加二极管后会抬高输出的低电平电压。所以只能在基极加一大电阻,实现分压作用。 另外一种方法是采用题4.15(a)图中的A输入单元结构。

& 1 1 & ≥1 .

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(b)、要实现由A和B得到A+B,我们可以使用线与。但题干中的线与功能不合理。若其中一个为高电平且另外一个为低电平时,高电平输出降会往低电平输出灌电流,从而容易引起逻辑电平混乱。为了消除这一效应,可以在各自的输出加一个二极管。 (c)、电阻不应该接地,应该接高电平

(d)、电阻不应该接VCC,而应该接低电平

4.15、试分析图题4.15(a),(b)所示电路的逻辑功能。

解答:

图(a)中,单元1实现了A的电平输入,B是A的对称单元。 功能单元2实现了A和B输入的或逻辑

功能单元4充当了Q8管的泄放网络,同时抬高了Q3,Q4管的输入逻辑电平,另外该单元还将或的结果传递给了Q8管

功能单元3中的Q8管实现了非逻辑,Q6和Q7复合管加强了输出级的驱动能力。 综上所述,4.15(a)电路实现功能为Y?A?B,即或非的功能

图(b)中,Q1,Q2管依然实现传递输入的功能,Q3,Q4管实现或非的功能 Q6管和Q5管以及R5,R7共同组成的泄放网络实现了电压的传递

Q9管实现了非功能,Q7,Q8管依然是用来驱动负载的。Q9管和Q7,Q8轮流导通 综上所述,4.15(b)实现的功能为Y?A?B?A?B

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第六次作业:

5.1已知一ECL电路如图题5.1所示,其Vcc=0V,VEE=-4.5V,VBEF=0.8V,VBB=-1.2V,逻辑摆幅VL=0.8V且对称于参考电压,各管的IE,MAX=5mA,并假设输入和输出的逻辑电平Vi,Vo相互匹配,且忽略基极电流的影响。

(1)试计算电阻R3,R4的数值 (2)试确定电阻R1,R2,和RE值

解答

电路的逻辑功能如下:(1)、当A输入为高电平VOH时,Q1,Q2的发射极c点电位被钳制住,Q1管放大,Q2管截止。(2)、当A输入为低电平VOL时,VBB将c点电位钳制在-2.0V,此时Q1管截止,Q2管放大。 Q3和Q4是单管禁止门射极跟随器,只是起电平传递的作用,并不会改变a、b点电位的输出极性和相位。 因为逻辑电平摆幅为VL=0.8V,且对称于参考电压,则VOH=-0.8V, VOL=-1.6V。 当Vi=?0.8V时

e点被钳位在-1.6V,所以Q2管截止,此时a点输出属于低电平逻辑。VY??1.6V

这种情况下C点的电位为VC??1.6V(比Vi=?1.6V情况的VRE??2.0V大),此时通过RE上的电流达最大。RE上的电压降为VRE??1.6V?(?4.5V)?2.9V,而IE,MAX?5mA所以RE?VREIE,MAX?580?

此时Y输出为低电平逻辑,所以Va?Ve?0.8??1.6?0.8??0.8V。所以R1?当Vi=?1.6V时

VaIE,MAX?0.8V?160?5mAQ1管截止, a点为逻辑高电平。Ve?Va?0.8V??0.8V,即Y输出为高电平。此时通过R3的电流最大。

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故有R3?Q2管导通

3.7V?740? 5mAVRE2.50.8V??4.31mA,此时b,d点为低电平逻辑。R2??186?RE5804.31mAVC?VBB?0.8??2.0V,IRE?

为了保证电平逻辑正常,当d点电平为高逻辑电平的时Q4管的电流达到最大值IE,MAX。故有

VR4??0.8?(?4.5)?3.7V,R4?VR4IE,MAX?3.7V?740? 5mA综上所述:R1?160?,R2?186?,R3?R4?740?,RE?580?

+-

5.2、已知图题5.2中ECL门电路的V=3V,V=-3V,VBEF=0.7V,R1=R2=500Ω,RE=2kΩ,假定平Vi和Vo的高低电平预地电平对称,并且当输入为低电平时的空载功耗为20mW。 (1)、计算电阻R4和R5,忽略基极电流的影响 (2)、确定逻辑摆幅,忽略基极电流的影响

解答

若A、B的输入都为低电平的情况下

Q1,Q3管截止,Q2管导通。RE两端的电压为2.3V,通过RE的电流为IRE?VRE2.3??1.15mA。通RE2k过电阻R2的电流IR2=IRE=1.15mA,R2上的电压降为VR2=R2×IR2=0.575V,Q4管发射极电压为3-0.575-

0.7=1.725V,此时Vo输出为低电平,便可列出方程:

VOL?.

1.725V?(?3V)?R5?3V.....................................①

R4?R5.

若A、B中有一个输入是高电平,则Q2管被截止,此时VO输出为高逻辑电平。同样可以列出方程

VOH?2.3V?3V?R5?3V……………………………. ②

R5?R4

由于Vo,Vi的高电平和低电平相对地对称,所以有

VOH??VOL...............................................................................③

又因为在双输入都为低电平的情况下,电路的空载功耗为20mW,可以得到如下方程

1.15mA?6V?1.725V?3V?6V?20mW………………④

R4?R5上述四个方程联立可得到:

R5?1.3k,R4?867?,逻辑摆幅VL?VOH?VOL?0.165?(?0.165)?0.33V

5.3、图题5.3是一个早期ECL电路 (1)、计算输出X处的VOH和VOL (2)、若要求VY=VX,试计算R1的值。

解答:

(1)当A输入为高电平VOH时,Q2管截止,X输出为高电平;VOH?VCC?0.8?0.5V

VQ4b?1.3?当A输入为低电平时,Q1管截止,Q2管放大,X输出为低电平。

所以输出低电平为VOL?VQ4b?0.8??0.5V

3.2?0.8?175?0.3V

420(2)若要使得VX=VY,则

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VOH?0.8?3.2?0.8?3.2?R1??175,解得R1=145Ω

420420

集成电路设计基础作业题解答(5~7)

.第五次作业4.14、改正图题4.14所示TTL电路的错误。如下图所示:解答:(a)、Y?A?B?0?A?B,A,B与非输出接基极,Q的发射极接地。从逻辑上把Q管看作单管禁止门便可得到Y?A?B。逻辑没有错误!若按照题干中所示接法,当TTL与非门输出高电平时,晶体管Q的发射结要承受高压,必然
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