资格条件：承研单位需在相关领域具有明显专业优势，具备相关项目承担经验及良好的科研团队和科研条件
本项目采取线下对接报名方式，请申请人填写申请书，在2020年5月25日前将申请书A4正反打印两份，签字盖章后，快递至北京市丰台区南大红门路1号四营门，申请书word电子版发至邮箱：，报名联系人：陈海坤，联系电话：。
重点实验室基金-新型超高温抗氧化涂层研究
发布单位：中国航天科技集团有限公司 截止时间：2020-05-25 采购阶段：预研 需求分类：研究技术类 专业领域：先进材料与制造 联系人：陈海坤 联系方式： 预算金额：30万元 主要内容
新型碳基复合材料用超高温（≥2000℃）抗氧化、抗冲刷涂层设计与制备； 多组元复合抗氧化、抗冲刷涂层体系设计和制备技术研究；基体涂层界面匹配与协同抗氧化设计及界面层制备方法；超高温抗氧化、抗冲刷涂层长时高温稳定性与结构演变机制研究。
研究周期：2020-2022年
资格条件:承研单位需在相关领域具有明显专业优势，具备相关项目承担经验及良好的科研团队和科研条件
本项目采取线下对接报名方式，请申请人填写申请书，在2020年5月25日前将申请书A4正反打印两份，签字盖章后，快递至北京市丰台区南大红门路1号四营门，申请书word电子版发至邮箱：，报名联系人：陈海坤，联系电话：。
重点实验室基金-高温介电性能稳定测试技术研究
发布单位：中国航天科技集团有限公司 截止时间：2020-05-25
采购阶段：预研 需求分类：研究技术类 专业领域：先进材料与制造 联系人：陈海坤 联系方式： 预算金额：30万元 主要内容
耐1500℃500次以上循环使用介电性能测试稳定性技术；高温介电性能测试腔体结构优化设计技术；高温介电性能测试腔体耐腐性与材料、工艺技术。
研究周期：2020-2022年
资格条件：承研单位需在相关领域具有明显专业优势，具备相关项目承担经验及良好的科研团队和科研条件
本项目采取线下对接报名方式，请申请人填写申请书，在2020年5月25日前将申请书A4正反打印两份，签字盖章后，快递至北京市丰台区南大红门路1号四营门，申请书word电子版发至邮箱：，报名联系人：陈海坤，联系电话：。
重点实验室基金- 新型超高温隔热材料技术研究
发布单位：中国航天科技集团有限公司 截止时间：2020-05-25 采购阶段：预研 需求分类：研究技术类 专业领域：先进材料与制造 联系人：陈海坤 联系方式： 预算金额：30万元 主要内容
新型超高温（≥2000℃）隔热材料设计与制备技术；新型隔热结构设计与制备技术；高辐射涂层设计与制备技术。
研究周期：2020-2022年 资格条件
承研单位需在相关领域具有明显专业优势，具备相关项目承担经验及良好的科研团队和科研条件
本项目采取线下对接报名方式，请申请人填写申请书，在2020年5月25日前将申请书A4正反打印两份，签字盖章后，快递至北京市丰台区南大红门路1号四营门，申请书word电子版发至邮箱：，报名联系人：陈海坤，联系电话：。
重点实验室基金--新型钪化物半导体异质结材料外延与物性机
理研究
发布单位：其他 截止时间：2020-05-25 采购阶段：预研
专业领域：电子元器件,先进材料与制造 联系人：许婧 联系方式：
需求分类：研究技术类 主要内容
针对化合物半导体器件向高频大功率方向发展的需求，开展新型钪化物异质结材料结构设计、异质结材料外延、生长动力学及相关物性机理研究。
资格条件：具备相关项目研究经验和研究条件
重点实验室基金--宽禁带p型氧化物异质生长技术研究
发布单位：其他 截止时间：2020-05-25 采购阶段：预研
专业领域：电子元器件,先进材料与制造 联系人：许婧 联系方式：
需求分类：研究技术类 主要内容
针对功率电子器件高耐压终端结构的需求，开展宽禁带p型氧化物异质生长、空穴浓度调控、异质结结构设计及能带工程研究。 资格条件:具备相关项目研究经验和研究条件
重点实验室基金--超平整晶圆级层数均一的hBN薄膜制备及
其转移技术
发布单位：其他 截止时间：2020-05-25 采购阶段：预研
专业领域：电子元器件,先进材料与制造 联系人：许婧 联系方式：
需求分类：研究技术类 主要内容
针对高性能微电子器件对于高质量、均匀超薄、低界面态密度介电层的需求，开展2英寸高质量、层数均匀、无褶皱的超平整h-BN薄膜材料的可控制备与转移方法研究，并有效应用在微电子器件上，提升功能器件沟道的电学特性，降低界面态密度，通过性能验证。 资格条件：具备相关项目研究经验和研究条件
重点实验室基金--化合物单晶生长的动态磁场调控机理研究
发布单位：其他 截止时间：2020-05-25 采购阶段：预研
专业领域：电子元器件,先进材料与制造 联系人：许婧 联系方式：
需求分类：研究技术类 主要内容
针对VGF法生长大尺寸化合物单晶，构建热、质、流、磁多物理场耦合作用数值模型，开展动态磁场生成与验证实验，研究动态磁场对晶体生
长的调控机理，设计有效可行的磁场结构与参数配置，满足生长高品质晶体的要求。
资格条件：具备相关项目研究经验和研究条件
重点实验室基金--III-V族太阳电池快速外延技术研究
发布单位：中国电子科技集团有限公司 截止时间：2020-05-31 采购阶段：预研 需求分类：研究技术类
专业领域：电子元器件,动力与传动,先进材料与制造 联系人：闫礼 联系方式： 预算金额：30万元 主要内容
功能用途：开辟新型太阳电池外延技术途径，适合太阳电池低成本化。 研究内容：探索新型外延工艺，建立HVPE快速外延技术体系，研究金属源材料反应及输运机制，获得高质量的晶格匹配GaInP材料。 技术指标：GaInP材料与衬底的晶格失配度小于0.4%。
成果形式：满足技术指标的样品、研究报告、专利、论文 研究周期：2年
项目经费：30万元
本项目采取线下对接报名，联系人：闫礼,联系电话：。
重点实验室基金--多种离子复合储能电池机理研究
发布单位：中国电子科技集团有限公司 截止时间：2020-05-31 采购阶段：预研 需求分类：研究技术类
专业领域：电子元器件,动力与传动,先进材料与制造 联系人：闫礼 联系方式：
预算金额：40.0万元
重点实验室基金项目指南 - 图文
