高效率开关电源设计实例 -- 10W同步整流Buck变换器
以下设计实例中,包含了各种技巧来提高开关电源的总体效率。有源钳位和元损吸收电路的设计主要依靠经验来完成的,所以不在这里介绍。
采用新技术时必须小心,因为很多是有专利的,可能需要直接付专利费给专利持有人,或在购买每一片控制IC芯片时,支付附加费用。在将这些电源引入生产前,请注意这个问题。 10W同步整流Buck变换器 应用
此设计实例是PWM设计实例1的再设计,它包括了如何设计同步整流器()。
在设计同步整流开关电源时,必须仔细选择控制IC。为了效率最高和体积最小,一般同步控制器在系统性能上各有千秋,使得控制器只是在供应商提到的应用场合中性能较好。很多运行性能的微妙之处不能确定,除非认真读过数据手册。例如,每当作者试图设计一个同步整流变换器,并试图使用现成买来的IC芯片时,3/4设计会被丢弃。这是因为买来的芯片功能或工作模式往往无法改变。更不用说,当发现现成方案不能满足需求时,是令人沮丧的(见图20的电路图)。 设计指标
输入电压范围: DC+10~+14V 输出电压: DC+ 额定输出电流:
过电流限制:
输出纹波电压: +30mV(峰峰值) 输出调整: ±1% 最大工作温度: +40℃ “黑箱”预估值 输出功率: +*2A=(最大) 输入功率: Pout/估计效率=/= 功率开关损耗 * 0.5= 续流二极管损耗: *= 输入平均电流 低输入电压时 /10V= 高输入电压时: /14V=0.8A
估计峰值电流: 1.4Iout(rated)=1.4×2.0A=2.8A 设计工作频率为300kHz。 电感设计(参见)
最恶劣的工作情况是在高输入电压时。Vin(max)——可能的最大输入电压。 Vout——输出电压。
Iout(min)——最小负载时的电流。 fsw ——工作频率。
式中
电感是个环形表面封装元件,市场上有多种标准表面封装的电感,这里选择的是Coileraft公司的D03340P-333(33μH)。 功率开关和同步整流器MOSFET的选择
功率开关:功率开关要用一个变压器耦合的N沟道功率MOSFET。这里打算使用一个S0-8封装的双N沟道MOSFET,以节省PCB空间。最大输入电压是DCl4V。因此,可以选用VDSS不低于DC+30V、峰值电流是2.8A的MOSFET。
选择过程的第一步是确定所用MOSFET的最大RDS(on),通过热模型可以确定这个值,最大的RDS(on)可由下式得到:同时希望器件的耗散功率小于1W,所以估计的RDS(on)应小于所以选FDS6912A双N沟道MOSFET,它是S0-8封装,10V栅极电压时的导通电阻为28mΩ。
同步二极管:要用一个大约是同步MOSFET连续额定容量的30%的肖特基二极管与MOSFET内部二极管并联,30V时约为0.66A。这里使用MBRSl30,该二极管在流过0.66A时有0.35V的正向压降。
可替换的元件:在写本书时,仙童半导体公司出品了一个集成的肖特基二极管和MOSFET,肖特基二极管直接并在MOSFET的硅片上(syncFET)。SyncFET有一个40mΩN沟道MOSFET,与一个28mΩSyncFET一起封装,型号为FDS6982S。 输出电容(参见)
输出电容值由下列公式确定:
输入和输出滤波电容主要考虑的是流入电容的纹波电流。在这个实例中,纹波电流和电感交流电流是相同的,电感电流最大值限定在2.8A,纹波电流峰峰值为1.8A,有效值大约为O.6A(约为峰峰值的1/3)。
采用表面安装钽电容,因为它的ESR只有电解电容的10%~20%。在环境温度+85C=时,电容将降额30%使用。
。
最佳的电容是来自AVX公司的,它的ESR非常低,因此可以适应很高的纹波电流,但这是很特殊的电容。在输出端可将下列两种电容并在一起。 AVX:
TPSEl07M01R0150 1OOμF(20%),10V,150mΩ,O.894A(有效值) TPSE107M01R0125 100/μF(20%),10V,125mΩ,0.980A(有效值) Nichicon:
F750A107MD 100μF(20%),10V,120mΩ,0.92A(有效值) 输入滤波电容(见)
这个电容要流过与功率开关相同的电流,电流波形是梯形的,从最初的lA很快上升到。它的工作条件比输出滤波电容恶劣得多。可把梯形电流看成两个波形的叠加来估计有效值:峰值1A的矩形波和峰值1.8A的三角波,产生大约1.1A的有效值。
电容值由下式计算:
电压越高,电容值越低。电容由两个1OOμF电容并联而成,它们是: AVX(每个系统需两个):
TPSl07M020R0085 1OOμF(20%),20V,85mΩ,1.534A(有效值) TPSl07M020R0200 100μF(20%),10V,200mΩ,1.0A(有效值) 选择控制IC芯片(U1)
期望的buck控制IC芯片的特性是: 1.直接从输入电压即可启动的能力。 2.逐周电流限制。 3.图腾柱MOSFET驱动器。
4.功率开关和同步整流器MOSFET之间延时的控制。