一、 选择题
如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（ A ）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（ E ）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（ C ）导电为主。
A 、本征 B 、受主 C 、空穴 D 、施主 E 、电子
受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子
电子是带（ B ）电的（ E ）；空穴是带（ A ）电的（ D ）粒子。
A 、正 B 、负 C 、零 D 、准粒子 E 、粒子
当Au 掺入Si 中时，它是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作用；当B 掺入Si 中时，它是（ C ）能级，在半导体中起的是（ A ）的作用。
A 、受主 B 、深 C 、浅 D 、复合中心 E 、陷阱
MIS 结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ A ）。
A. 相同 B. 不同 C. 无关
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ B ）。
A. 变大，变小 ；B. 变小，变大；C. 变小，变小； D. 变大，变大。 砷有效的陷阱中心位置（B ）
A. 靠近禁带中央 B. 靠近费米能级
在热力学温度零度时，能量比E F 小的量子态被电子占据的概率为
（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比E F 小的量子
态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0
如图所示的P 型半导体MIS 结构
的C-V 特性图中，AB 段代表
（ A ），CD 段代表（ B ）。
A. 多子积累 B. 多子耗尽
C. 少子反型 D. 平带状态
10. 金属和半导体接触分为（ B ）。
A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
1 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t=τ后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（ A ）。
A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e
2024年半导体物理学期末复习试题及答案二_
