项目组成员：刘媛刘艳冬刘梦雪汇报时间：2024年8月18日会议报告中国科学技术大学纳米学院南通天盛新能源股份有限公司汇报人：刘梦雪汇报时间：2024年11月T-SUN = Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider
12基本信息技术目标与路线目录345初步表征阶段性实验结果技术难点T-SUN = Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider01Al浆正面电极Ag/Al浆SiNx减反射层Al2O3钝化层n-SiP+层图2 P+层掺杂浓度
背面电极
图1 N型电池基本结构
?铝浆代银铝浆，提效降本；
?AL/Ag和Al浆的作用：形成接触，并平衡开压；?合适的钝化层厚度，可以形成共烧；?硼扩层特定的掺杂浓度，利于欧姆接触。
T-SUN = Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider
02技术难点132烧穿钝化层，不破坏PN结低接触电阻& 低栅线体电阻低复合目标路线?低温烧结（710-730℃）?J0＜300 fA/cm2?接触电阻率＜1 mΩ·cm2?栅线体电阻率＜2.5 E-5Ω·cm图3 栅线截面SEM?原理上可行，工艺有很多可以优化的空间，实现目标只是时间的问题
T-SUN = Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider
03
银浆接触机理正银浆料中玻璃料（如PbO)或溶于玻璃中的AgO可将SiNx等电介质局部开口：
4Ag+(玻璃中）+2O2-+Si(s) 4Ag(玻璃中)+SiO2(玻璃中)
烧结工艺的冷却阶段，生成银微晶，实现块体Si与Ag栅线之间的欧姆接触。银浆与银铝浆同等情况下烧结浆料种类Ag 浆Ag-Al浆ρc(mΩ?cm2)＞1001Al 浆1?单独用银浆并不能烧穿钝化膜，在银浆内加入一些铝可以改善接触；?铝浆的接触机理，尚未见文献报道。
T-SUN = Integrated Photovoltaic Metallization Solutions Provider
0181.N型太阳能电池硼发射极烧穿型铝浆-刘梦雪 - 图文
