金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵列

金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵

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作者：谢巧玲;李勤涛;杨树敏;贺周同;周兴泰;朱德彰;巩金龙

作者机构：中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400;台州学院物理系,台州,316500;中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400;中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400;中国科学院上海应用物理研究所,上海,202400 来源：核技术 ISSN：0253-3219 年：2009 卷：032 期：005 页码：361-365 页数：5

中图分类：TQ127.2 正文语种：chi

关键词：硅纳米圆锥;离子束溅射;金刚石薄膜

摘要：以金刚石薄膜为掩膜,采用低能Ar+室温倾角溅射的方法制备密度和形貌可控的硅纳米圆锥阵列.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,离子束溅射后得到的硅纳米圆锥密度与作为掩膜的金刚石薄膜颗粒密度相当;硅纳米圆锥的形貌与离子束入射角有密切关系,随着入射倾角由30°增大到75°;得到的硅纳米圆锥的锥角由73°减小到23°,其长径比从500 am/360 nm增大到2400nm/600nm.由于金刚石比硅材料的溅射速率更低,因此以金刚石薄膜为掩膜可以制备较大长径比