存储器
1. 解释概念：主存、辅存、 Cache RAM SRAM DRAM ROM PROM EPROM/IEEPROMCDROJMFIash Memory。
答：主存：主存储器，用于存放正在执行的程序和数据。 接进行随机读写，访问速度较高。
辅存：辅助存储器，用于存放当前暂不执行的程序和数据，以及 一些需要永久保存的信息。
CPU可以直
Cache：高速缓冲存储器，介于 CPU和主存之间，用于解决 CPU 和主
存之间速度不匹配问题。
RAM半导体随机存取存储器，主要用作计算机中的主存。 SRAM静态半导体随机存取存储器。 DRAM动态半导体随机存取存储器。
ROM掩膜式半导体只读存储器。由芯片制造商在制造时写入内 容，以后只
能读出而不能写入。
PROM可编程只读存储器，由用户根据需要确定写入内容，只能 写入一
次。
EPROM紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时，现将 其全部内
容擦除，然后再编程。擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷 泄露而实现。
EEPROM电擦写可编程只读存储器。 CDROM只读型光盘。
Flash Memory :闪速存储器。或称快擦型存储器。
2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、
序说明。
容量和价格/位排
答：计算机中寄存器、Cache主存、硬盘可以用于存储信息。
按速度由高至低排序为：寄存器、Cache主存、硬盘； 按容量由小至大排序为：寄存器、
Cache主存、硬盘；
按价格/位由高至低排序为：寄存器、Cache主存、硬盘。
3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？ 计算机如何
管理这些层次？
答：存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存 储层次上。
Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从 整体运
行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而 寻址空间和位价却接近于主存。
主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角 度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存， 存。
综合上述两个存储层次的作用，从整个存储系统来看，就达到了 速度快、容量大、位价低的优化效果。
主存与CACH之间的信息调度功能全部由硬件自动完成。 而主存 与辅存层次的调度目前广泛采用虚拟存储技术实现，
即将主存与辅存 而速度接近于主
的一部分通过软硬结合的技术组成虚拟存储器，程序员可使用这个比 主存实际空间（物理地址空间）大得多的虚拟地址空间（逻辑地址空 间）编程，当程序运行
时，再由软、硬件自动配合完成虚拟地址空间 与主存实际物理空间的转换。因此，这两个层次上的调度或转换操作 对于程序员来说都是透明的。
4. 说明存取周期和存取时间的区别。
解：存取周期和存取时间的主要区别是： 存取时间仅为完成一次操作 的时间，而存取周期不仅包含操作时间，还包含操作后线路的恢复时 间。即：
存取周期二存取时间+恢复时间
5?什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为 32位，存取周 期为200ns,则存储器的带宽是多少？
解：存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。
存储器带宽 二1/200ns X 32位二160M 位/秒二20MB/秒二5M 字/秒 注意：字长32位，不是16位。（注：1ns=109s）
6. 某机字长为32位，其存储容量是64KB按字编址它的寻址范围 是多少？若主
存以字节编址，试画出主存字地址和字节地址的分配情
况。
解：存储容量是64KB时，按字节编址的寻址范围就是 64K
如按字编址，其寻址范围为：64K /
(32/8 ) = 16K
字节地址
字地址
主存字地址和字节地址的分配情况: 如图
7. 一个容量为16KX 32位的存储器，其地址线和数据线的总和是多 少？当选
用下列不同规格的存储芯片时，各需要多少片？
1KX 4 位，2KX 8 位，4KX 4 位，16KX 1 位，4KX 8 位，8KX 8 位
解：地址线和数据线的总和 二14 + 32 = 46 根；
选择不同的芯片时，各需要的片数为：
1KX 4： (16KX 32) / (1KX 4) = 16 X 8 = 128 片 2KX 8： (16KX 32) / (2KX 8) = 8 X 4 = 32 片 4KX 4： (16KX 32) / (4KX 4) = 4 X 8 = 32 片 16KX 1： (16KX 32) /
(16KX 1) = 1 X 32 = 32 片
4KX 8： (16KX 32) / (4KX 8) = 4 X 4 = 16 片 8KX 8： (16KX 32) / (8KX 8) = 2 X 4 = 8 片 8. 试比较静态RAM和动态RAM
答：略。（参看课件）
9. 什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。 解：刷新：对DRAM
定期进行的全部重写过程；
刷新原因：因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补 充，因此安排了定期刷新操作；
常用的刷新方法有三种：集中式、分散式、异步式。
集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新， 存在CPU访存死时间。
分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死 时间。 异步式：是集中式和分散式的折衷。
10. 半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种？
解：半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种：线选法和重合法。
线选法：地址译码信号只选中同一个字的所有位，结构简单，费 器材； 重合法：地址分行、列两部分译码，行、列译码线的交叉点即为 所选单元。这种方法通过行、列译码信号的重合来选址，也称矩阵译 码。可大大节省器材用量，是最常用的译码驱动方式。
11. 一个8KX 8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成 256X256形 式，存
取周期为0.1卩s。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新 三种方式的刷新间隔各为多少？
解：采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms，其中刷新死时间为：256 X
0.1 口 s=25.6 口 s
计算机组成原理第二版课后习题答案
