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CHIP_ID SAFE_MOD PCON DPH DPL DPTR SP
B寄存器(B)：
位 [7:0]
名称 B
访问 RW
描述
算术运算寄存器，主要用于乘法和除法运算，可按位寻址
复位值 00h
A1h 芯片ID识别码(只读) A1h 安全模式控制寄存器(只写) 87h 电源控制寄存器(上电复位状态下) 83h 数据地址指针高8位 82h 数据地址指针低8位 82h DPL和DPH组成16位SFR 81h 堆栈指针
56h 00h 10h 00h 00h 0000h 07h
A累加器(A、ACC)：
位 [7:0]
名称 A/ACC
访问 RW
描述
算术运算累加器，可按位寻址
复位值 00h
程序状态寄存器(PSW)： 位
名称
访问
描述
进位标志位：执行算术运算和逻辑运算指令时，用于记录最高位的进位或者借位；进行8位加法运算时，最高位进位，则该位置位，否则清零；进行8位减法运算时，若借位，则该位置位，否则清零；逻辑指令可使该位置位或清零
辅助进位标志位：记录加减法运算时，低4位向高4位有进位或借位，AC置位，否则清零
可按位寻址的通用标志位0：使用者可自己定义，可软件清零或置位 寄存器组选择位高位 寄存器组选择位低位
溢出标志位：加减法运算时，运算结果超过8位二进制数，则OV置1，标志溢出，否则清0
可按位寻址的通用标志位1：使用者可自己定义，可软件清零或置位 奇偶标志位：记录指令执行后累加器A中1的奇偶性，奇数个1则P置位，偶数个1则P清零
复位值
7 CY RW 0
6 5 4 3 2 1 0
AC F0 RS1 RS0 OV F1 P
RW RW RW RW RW RW RO
0 0 0 0 0 0 0
处理器的状态保存在状态寄存器PSW中，PSW支持按位寻址。状态字中包括进位标志位，用于BCD码处理的辅助进位标志位，奇偶标志位，溢出标志位，还有用于工作寄存器组选择的RS0和RS1。工作寄存器组所在的区域都可以通过直接或者间接方式进行访问。
表5.3.2 RS1和RS0工作寄存器组选择表
RS1 0 0 1 1
操作
CY
OV
RS0 0 1 0 1 AC
操作
工作寄存器组 0组(00h-07h) 1组(08h-0Fh) 2组(10h-17h) 3组(18h-1Fh)
CY
OV
AC
表5.3.3 影响标志位的操作(X表示标志位与操作结果有关)
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ADD ADDC SUBB MUL DIV DA A RRC A RLC A CJNE
X X X 0 0 X X X X
X X X X X
X X X
SETB C CLR C CPL C MOV C, bit ANL C, bit ANL C,/bit ORL C, bit ORL C,/bit
1 0 X X X X X X
数据地址指针(DPTR)：
位 [7:0] [7:0]
名称 DPL DPH
访问 RW RW
数据指针低字节 数据指针高字节
描述
复位值 00h 00h
DPL和DPH组成16位数据指针DPTR，用于访问xSFR、xBUS、xRAM数据存储器或者程序存储器，实际DPTR对应DPTR0和DPTR1两组物理上的16位数据指针，由XBUS_AUX 中的DPS动态选择。
堆栈指针(SP)：
位 [7:0]
名称 SP
访问 RW
描述
堆栈指针，主要用于程序调用和中断调用以及数据进出栈
复位值 07h
堆栈具体功能：保护断点和保护现场，按先入后出的原则进行管理。入栈时SP指针自动加1，保存数据或断点信息；出栈时取SP指针指向数据单元，SP指针自动减1。SP在复位后的初值是07h，相应的默认堆栈存储从08h开始。
5.4 特有寄存器
累加器的高低位倒置值(A_INV)：
位 [7:0]
名称 A_INV
访问 RO
描述
累加器的高低位倒置值，位0～位7按位反序的结果， A_INV的位7、位6～位0分别是ACC的位0、位1～位7
复位值 00h
全局配置寄存器(GLOBAL_CFG)，仅在安全模式下可写：
位 [7:6]
名称 保留
访问 RO
保留
Boot loader状态位，用于区分ISP引导程序状态或者应用程序状态：电源上电时置1，软件复位时清0。 对于有ISP引导程序的芯片，该位为1说明从未软件复位过，通常是上电后运行的ISP引导程序状态；该位为0说明已经软件复位过，通常是应用程序状态 软件复位控制位：置1导致软件复位，硬件自动清零 Flash-ROM写允许位：
该位为0则写保护；为1则Flash-ROM可写可擦 Flash-ROM的DataFlash区域写允许位：
该位为0则写保护；为1则DataFlash区域可写可擦
描述
复位值 00b
5 bBOOT_LOAD RO 1
4 3 2
bSW_RESET bCODE_WE bDATA_WE
RW RW RW
0 0 0
13
MOVX_@R0/R1 指令访问范围控制位：
该位为0 允许访问全部xdata区域xRAM/xSFR； 该位为1 则专用于访问xSFR，不能访问xRAM
看门狗复位使能位：该位为0看门狗只用作定时器；该位为1允许计时溢出时产生看门狗复位
1 bXIR_XSFR RW 0
0 bWDOG_EN RW 0
安全模式控制寄存器(SAFE_MOD)：
位 [7:0]
名称 SAFE_MOD
访问 WO
描述
用于进入或者终止安全模式
复位值 00h
部分SFR仅在安全模式下才能写入数据，而在非安全模式下总是只读状态。进入安全模式步骤： (1)、向该寄存器写入55h； (2)、接着向该寄存器写入AAh；
(3)、此后约13到23个系统主频周期都处于安全模式下，该有效期内可以改写一个或多个安全类
SFR或普通SFR
(4)、超出上述有效期后自动终止安全模式
(5)、或者再向该寄存器写任意值可以提前终止安全模式
6、存储器结构
6.1 存储器空间
CH555寻址空间分为程序存储空间、内部数据存储空间、外部数据存储空间、只读和OTP空间。
图6.1 存储器结构图 Internal Data Address Space FFH 80H 7FH 00H
Upper 128 bytes internal RAM (indirect addressing by @R0/R1) Lower 128 bytes internal RAM (direct or indirect addressing)
SFR
(Direct addressing)
OTP data
Read Only information Program Address Space Configuration information
ROM_CFG_ADDR Boot Loader Code Flash
BOOT_LOAD_ADDR Data Flash or Code Flash
DATA_FLASH_ADDR
Application Code Flash
FFFFH FFFEH FFFDH
F400H F3FFH
F000H EFFFH
0000H
03FH 020H 01FH 000H
External Data Address Space FFFFH
4000H 3FFFH
2000H 1FFFH
0000H
Reserved area @xdata xSFR area @xdata
(indirect addressing by MOVX)
8KB on-chip expanded xRAM @xdata (indirect addressing by MOVX)
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6.2 程序存储空间
程序存储空间共64KB，如图6.1所示，已全部用于flash-ROM，包括保存指令代码的Code Flash区域、保存非易失数据的Data Flash区域、以及配置信息Configuration Information区域。
Data Flash（EEPROM）地址范围为F000h到F3FFH，支持单字节读(8位)、单字节写(8位)、块写(1～64字节)、块擦除(64字节)操作，芯片掉电后数据保持不变，也可用作Code Flash。
Code Flash包括低地址区域的应用程序代码和高地址区域的引导程序代码，也可将这两块区域以及Data Flash合并用于保存单一应用程序代码。
配置信息Configuration Information共16位数据，由编程器根据需要设定，参考表6.1。
表6.2 flash-ROM配置信息描述 位地址 15
位名称 Code_Protect
说明
flash-ROM中的代码和数据保护模式：
0-允许读出；1-禁止编程器读出，程序保密 使能BootLoader引导代码启动模式： 0-从0000h地址的应用程序启动； 1-从F400h地址的引导程序启动
使能上电复位期间的额外延时复位：
0-标准短复位；1-宽复位，额外增加44mS复位时间 使能P7.1作为手工复位输入引脚：0-禁止；1-使能RST# 保留 保留
(由编程器根据需要自动设定为1) (由编程器根据需要自动设定为0) (由编程器根据需要自动设定为00000b)
选择电源低压检测复位模块LVR的门限电压(误差5%)： 000选择2.5V；001选择2.7V；010选择2.9V；011选择3.1V；100选择3.9V；101选择4.1V；110选择4.3V；111选择4.5V
建议值 0/1
14 No_Boot_Load 1
13 12 11 10 9 8 [7:3]
En_Long_Reset En_P71_RESET
Must_1 Must_0 All_0 LV_RST_VOL (Vpot)
0 0 0 0 1 0 00000b [2:0] 000b
6.3 数据存储空间
内部数据存储空间共256字节，如图6.1所示，已全部用于SFR和iRAM，其中iRAM用于堆栈和快速数据暂存，可细分为工作寄存器R0-R7、位变量bdata、字节变量data、idata等。
外部数据存储空间共64KB，如图6.1所示，除了部分用于16KB片内扩充xRAM和xSFR，剩余的4000h到FFFFh地址范围是保留区域。
只读信息和OTP数据各32字节，如图6.1所示，需要通过专用操作实现存取。
6.4 flash-ROM寄存器
表6.4 flash-ROM操作寄存器列表
名称 ROM_DATA_HH ROM_DATA_HL ROM_DATA_HI ROM_BUF_MOD ROM_DAT_BUF
地址 8Fh 8Eh 8Eh 8Fh 8Eh
描述
flash-ROM数据寄存器高字的高字节(只读) flash-ROM数据寄存器高字的低字节(只读) ROM_DATA_HL和ROM_DATA_HH组成16位SFR flash-ROM擦写操作的缓冲区模式寄存器 flash-ROM擦写操作的数据缓冲寄存器
复位值 xxh xxh xxxxh xxh xxh
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ROM_STATUS ROM_CTRL ROM_ADDR_H ROM_ADDR_L ROM_ADDR ROM_DATA_LH ROM_DATA_LL ROM_DATA_LO
86h 86h 85h 84h 84h 85h 84h 84h
flash-ROM状态寄存器(只读) flash-ROM控制寄存器(只写) flash-ROM地址寄存器高字节 flash-ROM地址寄存器低字节
ROM_ADDR_L和ROM_ADDR_H组成16位SFR flash-ROM数据寄存器低字的高字节(只读) flash-ROM数据寄存器低字的低字节(只读) ROM_DATA_LL和ROM_DATA_LH组成16位SFR
00h 00h xxh xxh xxxxh xxh xxh xxxxh
flash-ROM地址寄存器(ROM_ADDR)：
位 [7:0] [7:0]
名称 ROM_ADDR_H ROM_ADDR_L
访问 RW RW
flash-ROM地址高字节 flash-ROM地址低字节
描述
复位值 xxh xxh
flash-ROM数据寄存器(ROM_DATA_HI、ROM_DATA_LO)：
位 [7:0] [7:0] [7:0] [7:0]
名称 ROM_DATA_HH ROM_DATA_HL ROM_DATA_LH ROM_DATA_LL
访问 RO RO RO RO
描述
flash-ROM数据寄存器高字(16位)的高字节 flash-ROM数据寄存器高字(16位)的低字节 flash-ROM数据寄存器低字(16位)的高字节 flash-ROM数据寄存器低字(16位)的低字节
复位值 xxh xxh xxh xxh
flash-ROM擦写操作的缓冲区模式寄存器(ROM_BUF_MOD)：
位
名称
访问
描述
flash-ROM擦写操作（擦除或编程）的缓冲区模式： 该位为0选择数据块编程模式，待写数据存放于由DPTR指向的xRAM中，编程时CH555自动从xRAM依次取出数据暂存于ROM_DAT_BUF再写入flash-ROM，支持1字节到64字节数据长度，实际长度=MASK_ROM_ADR_END-ROM_ADDR_L[5:0]+1；
为1选择单字节编程或者64字节块擦除模式，待写数据直接存放于ROM_DAT_BUF中 保留
在flash-ROM数据块编程模式下，为flash-ROM块编程操作的结束地址的低6位（含该地址）； 在flash-ROM单字节编程或者64字节块擦除模式下，为保留，建议为00h
复位值
7 bROM_BUF_BYTE RW x
6 保留 RW x
[5:0] MASK_ROM_ADDR RW xxh
flash-ROM擦写操作的数据缓冲寄存器(ROM_DAT_BUF)：
位 [7:0]
名称 ROM_DAT_BUF 访问 RW
描述
flash-ROM擦写操作的数据缓冲寄存器
复位值 xxh
flash-ROM控制寄存器(ROM_CTRL)：
8位USB和RGB-LED MS51单片机CH555手册 - 图文
