三氧化钼纳米带电致变色过程中的缺陷变化研究
班冬梅;潘孟美;王林茂;洪丽;傅军
【期刊名称】《材料导报》 【年(卷),期】2013(027)012
【摘要】Molybdenum trioxide nanobelt films were prepared on ITO glass substrate by thermal evaporation methods.The morphology and microstructure were investigated by scanning electron microscopy (SEM),X-ray diffractometry (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR).The optical properties and the evolvement of defects in the electrochromic process were investigated in detail by ultraviolet-visible-near
infrared
(UV-Vis-NIR)spectroscopy,and
photoluminescence spectroscopy (PL).It is shown that the optical band gap of MoO3 nanobelts is 3.36 eV.There are Mo5+ which come from lattice distortion and oxygen deficiency in as-prepared MoO3 nanobelts.The insertion of the Li+ and e-does not change the valence of these Mo5+,but form new Mo5+ following by new distortion of [MoO6] octahedron with the insertion.The electron's transfer between Mo6+ and Mo5+ lead to coloration.%采用热蒸发法在氧化铟锡玻璃上制备三氧化钼(MoO3)纳米带薄膜.通过扫描电镜、X射线衍射、红外光谱分析了纳米带的表面形貌及结构,通过紫外-可见-近红外光谱以及光致发光谱分析了电致变色前后纳米带光学性能以及缺陷分布情况.结果表明:纳米带的光学带隙为3.36 eV,变色前纳米带内部就存在着部分由晶格畸变和氧空位产生的+5价Mo离子；变
色后,注入的Li+和e-使材料内部的[MoO6]八面体发生新的畸变,产生新的Mo5.电子在+6价和+5价的Mo离子间发生迁移而导致着色. 【总页数】4页(23-26)
【关键词】三氧化钼;纳米带;电致变色 【作者】班冬梅;潘孟美;王林茂;洪丽;傅军
【作者单位】海南师范大学物理与电子工程学院,海口571158;海南师范大学物理与电子工程学院,海口571158;海南师范大学物理与电子工程学院,海口571158;海南师范大学物理与电子工程学院,海口571158;海南师范大学物理与电子工程学院,海口571158 【正文语种】中文 【中图分类】TB332 【文献来源】
https://www.zhangqiaokeyan.com/academic-journal-cn_materials-reports_thesis/0201211438362.html 【相关文献】
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三氧化钼纳米带电致变色过程中的缺陷变化研究
