华南农业大学期末考试试卷(A卷)
2014-2015学年第 二 学期 考试科目: 半导体物理 考试类型:(开卷)考试 考试时间: 120 分钟
学号 姓名 年级专业
装题号 得分 评阅人 得分 一
二 三 四 总分 订线一、选择题(本大题共 10 小题,每小题 1 分,共 10 分) 1. 关于有效质量,下面说法错误的是( )
A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用
B. 原子中内层电子的有效质量大,外层电子的有效质量小
C. 有效质量可正可负 D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。
2.关于本征半导体,下列说法中错误的是( )
A. 本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处 B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷
C. 本征半导体的费米能级与温度无关,只决定于材料本身 D. 本征半导体的电中性条件是qn0=qp0
3.非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。下面表达式中不等于复合率的是( ) A.
d?Δp?t??1ΔpΔn B. ? C. D.
dtττnτp
4.下面pn结中不属于突变结的是( )
A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p+n结
C.高表面浓度的浅扩散n+p结 D. 低表面浓度的深扩散结
5.关于pn结,下列说法中不正确的是( ) A. pn结是结型半导体器件的心脏。
B. pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。 C.平衡时,pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。 D.所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结。
6. 下面材料中不属于第三代半导体材料的是( ) A. Si B. ZnO C. GaN D. SiC
1
7.关于空穴,下列说法不正确的是( )
A. 空穴带正电荷 B.空穴具有正的有效质量 C.空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D.半导体中电子空穴共同参与导电
8. 关于公式np?ni2,下列说法正确的是( )
A.此公式仅适用于本征半导体材料 B. 此公式仅适用于杂质半导体材料 C. 此公式不仅适用于本征半导体材料,也适用于杂质半导体材料 D.对于非简并条件下的所有半导体材料,此公式都适用
9. 对于小注入下的N型半导体材料,下列说法中不正确的是( ) A. ?n??n0 B. ?p??p0 C. ?n??p D. ?p??n0 10. 对于突变结中势垒区宽度XD,下面说法中错误的是( ) A. p+n结中XD?xn B. n+p结中XD?xp C. XD与势垒区上总电压VD?V成正比 D. XD与势垒区上总电压VD?V的平方根成正比
得分
二、填空题:写出下表中各符号或缩写在本课程中所代表的物理量或名词的含义 (本大题共 20 空,每空 1 分,共 20 分) 符号 物理量 符号 物理量 符号 ? nD物理量 np0 ? pApn0 Dp ni IC MIS CVD SOI ?n Nc FET CCD GMR ? LED MOS MBE QHE
2
装订线
得分
三、简答题(本题共 10 小题,每小题 5 分,共 50 分) 1. 什么是摩尔定律?
2. pn结热平衡时势垒高度qVD的大小与中性p区和n区的费米能级(Efn和Efp)的关系是什么?平衡pn结能带最主要的两个性质是什么?
3. 图1是非平衡N型半导体准费米能级偏离平衡费米能级的示意图。其中A、E分别表示导带底和价带顶。问B、C、D哪个表示平衡费米能级?哪个表示电子的准费米能级?哪个表示空穴的准费米能级?
图1
4. 如果一个费米子的反粒子就是其自身,则这种费米子叫马约拉那费米子。问空穴是否可能是电子的马约拉那费米子?为什么?
5. 图2是硅导带电子浓度与温度的关系曲线。请指出强电离区、高温本征激发区的位置(即温度范围,用a、b、c表示)。一般而言,实际器件工作在那个区域?
图2
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6. 回答下列问题
(1)AlGaAs和GaAs形成的量子阱结构中阱材料是那个? (2)AlGaAs和GaAs形成第几类异质结? (3)设GaAs为P型半导体,如果AlGaAs和GaAs形成的异质结为反型异质结,则AlGaAs掺杂类型是什么?
(4)如何调整AlGaAs的禁带宽度?
7. 简要说明什么是霍尔效应?同金属相比,半导体中的霍尔效应为什么容易测到?
8. 自旋向上和自旋向下的电子对何种场反应不相同(从电场、磁场、重力场选)?电子自旋可由什么实验证实(从斯特恩-盖拉赫实验、光电效应、密立根油滴实验选)?
9. 肖特基结和pn结整流特性的主要差异是什么?(完成下表) 种类 肖特基结 pn结 载流子类型(选多子/少子) 导通电压(选高/低) 击穿电压(选高/低) 漏电流(选大/小)
10.图3为某半导体材料的能带图,问上面各个符号代表的物理量是什么?这个半导体的导电类型是什么?
图3
4
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得分
四、计算和证明题(本大题共 4 小题, 共 20 分) 1. 计算金刚石结构中原子占据晶胞的百分比。( 5分)
2. N型硅,室温下光稳定照射后获得非平衡载流子浓度?n??p?1014cm?3。 突然撤掉光照,经过20微秒后,非平衡空穴浓度变为1010cm?3,求硅材料的寿命。(5分)
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3.n型硅样品ND?1016cm?3,此时?n?1100cm2/V?s,?p?400cm2/V?s,光照产生非子 ?n??p?1014cm?3,计算无光照与有光照时的电导率。(5分)
4.处于非平衡态的半导体(以n型为例),证明少子准费米能级偏离平衡费米能级的程度大,多子准费米能级偏离平衡费米能级程度小。( 5分)
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