第七章晶体管放大电路习题
选择正确答案填入空内。
（1）在某放大电路中，测得三极管处于放大状态时三个电极的电位分别为0V，10V，V，则这只三极管是( )。
A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型硅管 D．PNP型锗管
（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的( )。
A．输入电阻大； B．输入电阻小； C．输出电阻大； D．输出电阻小 （3）某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k的负载电阻后输出电压降为3V。这说明放大电路的输出电阻为( )。
A．10k； B．2k； C．1k； D．k。
（4）复合管如题图7.1.4所示，已知T1的130，T2的250，则复合后的约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．30
T1 T2
T1 T1 题图7.1.4
(a) (b) (c) 题图7.1.5
（5）题图7.1.5中哪种组合电路构成PNP型复合管( )
（6）电路如题图7.1.6 所示，设晶体管T工作在放大状态，欲使静态电流IC减小，则应( )。
(A) 保持VCC、RB一定，减小RC; (B) 保持VCC、RC一定，增大RB; (C) 保持RB、RC一定，增大VCC
RB C RC +VCC T + vo
Rb 500kC1 + vi Rc +12V 4kΩ C2 + T β=50 RL vo
+ + vi vs Rs Ri
题图7. 1.6 题图7.
（7）在题图7.1.6所示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri
（8）放大电路如题图7.1.8所示，其中的晶体管工作在( )。
(A) 放大区 (B) 饱和区 (C) 截止区
Rb1 C1 + vi Rc +VCC C2 + T R Lvo
RRw + C1 vi Rc VCC C2 + T RL vo
Rb2
题图7.1.9 题图
（9）如题图7.1.9所示的放大电路( )。
(A)能稳定静态工作点 (B)不能稳定静态工作点 (C)不仅能稳定静态工作点且效果比接有射极电阻时更好。
(10)两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的( )。
(A) 输入电阻 (B) 信号源内阻 (C) 负载电阻
(11)已知题图7.1.11所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降VCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。 ①该电路的最大不失真输出电压有效值Vom≈( )；
②当vi＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将( )； A.减小 B.不变 C.增大
③在vi＝1mV时，将Rw调到使输出电压最大且刚好不失真。若此时增大输入电压，则输出电压波形将( )；
A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 ④若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( )。 减小 减小 减小 （12）某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，电路形式应选( )。
A．电流串联负反馈 B．电流并联负反馈 C．电压串联负反馈 D．电压并联负反馈
（13）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适
将正确答案填入空内。
（1）三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：VA5V、VB8V、VCV，则三极管对应的电极是：A为 极、B为 极、C为 极，晶体管为 型三极管。
（2）某晶体管的极限参数PCM200mW，ICM100mA，V(BR)CEO30V，若它的工作电压VCE为
10V，则工作电流不得超过 mA；若工作电流IC1mA，则工作电压不得超过 V。
（3）在题图7.1.11所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的＝100，Rb＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。
①当vi＝0V时，测得VBEQ＝，若要基极电流IBQ＝20μA， 则Rb和RW之和＝ ≈ kΩ；而若测得VCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。
②若测得输入电压有效值Vi=5mV时，输出电压有效值Vo＝， 则电压放大倍数 Av＝ ≈ 。
③若负载电阻RL值与RC相等 ，则带上负载后输出电压有效值Vo?＝ ＝ V。
晶体三极管的结构是由两个背靠背的PN结构成的，若用两个三极管背靠背连接，是否就能合成一个三极管
三极管的集电极和发射极是否可以对换使用为什么
测得各三极管静态时三个电极对地的电位如题图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。
5V 1001V D T1
20k
5V 1kΩ T2 β=20
6V 6kΩ 5V 3kΩ T3
β=20 β=20
1kΩ
(a) (b)
题图
某个三极管的参数如下：PCM?100mV,ICM?20mA,V(BR)CEO?15V，试问在下列哪种情况下能正常工作
（1）VCE?3V,IC?10mA；（2）VCE?2V,IC?40mA；（3）VCE?6V,IC?20mA。
电路如题图所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少设VCC＝12V，晶体管饱和管压降VCES＝。 （1）正常情况 +VCC
RC Ω （2）Rb1短路 Rb2 51kΩ （3）Rb1开路 Rb1 + （4）Rb2开路
+ Ω T vo （5）RC短路 vi
题图7. 7
电路如题图（a）所示，题图（b）是晶体管的输出特性，静态时VBEQ＝。利用图解法分
别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Vom（有效值）。
7章晶体管放大电路习题-9.4功率放大电路
