存储器测试系统
拥有业界领先的768DUT的DRAM晶圆并行测 试能力
爱德万测试为DRAM晶圆测试开发的新一代存储器测试系统T5385提供了无与伦比的
768DUT并行测试能力及533Mbps测试速率，可进一步提升您的产量并降低您的测试成本。T5385能够根据待测器件灵活地配置测试通道数量，以最优化的方式为各种DRAM器件分配通道资源，从而最大化同测数、最小化扎针次数、进一步提升产能，因此特别适用于高产量的晶圆 厂。T5385在提升同测数量的同时更提高了每颗 待测器件的测试效率，使其在消费类器件（如LPDDR2、DDR3多die堆叠型器件）的KGD（Known Good Die）测试中大幅提升产能。
高吞吐速率、低测试成本
当今，在电脑及其他各类电子产品中，新一代的DRAM存储器提供了更快的存取速度、更高的存储容量，以及更优良的电源功耗。这一切都得益于半导体行业对更小节点制程的积极推进。更小节点的制程可以在每片晶圆上制造出更多的、更高密度的芯片，同时也对DRAM晶圆测试的吞吐速率提出了苛刻的要求。在各大芯片制造厂商的要求下，爱德万测试推出的新一代T5385测试系统提供了无与伦比的同测能力及灵活的通道资源分配能力，显著提升了晶圆测试过程中的吞吐速率。
高速的存储器修复分析（Memory Repair Analysis，即MRA）
T5385在软硬件系统上具备大量优势，其中之一是高速的存储器修复分析系统（Memory Repair Analysis，即MRA）。高速的存储器修复分析可以大幅降低DRAM或FLASH晶圆测试的时间。与本公司的前一代系统相比，T5385可以缩短30%的测试时间。通过将冗余处理及数据传输交由后台处理，T5385可进一步缩短晶圆测试时间。 FLASH存储器测试能力
T5385支持FLASH存储器的晶圆测试。它独家拥有专为FLASH存储器优化的tester-per-site构架，可大幅缩短测试时间。
适用于DRAM研发的T5385ES存储器测试系统
专为工程目的而设计的T5385ES，既拥有更小的体积，又具备T5385的所有功能及性能。通过T5385ES，可以方便地对待测器件进行工程验证及特性分析。此外，在T5385ES上开发的测试程序可以无缝移植到T5385上，加快DRAM程序的开发速度。
主要性能
目标芯片：
DRAM、SDRAM、DDR器件、SRAM、FLASH存储器、EPROM、等 T5385：最大768同测 T5385ES：最大12同测
266MHz / 533Mbps（在DDR模式下）
同测能力：
测试速率：
IC测试系统
产品的维修和维护，请使用下列联络信息：
关于IC测试系统的维修和维护，请联系我们： 华东地区客户请联系 TEL: (0512)6256-8318 FAX: (0512)6256-8328 FAX: (021)6485-2726 华南及上海地区客户请联系 TEL: (021)6485-2725 北方地区客户请联系 TEL: (010)8235-3377 西南地区客户请联系 FAX: (010)8235-6717 TEL: (028)8785-0652 FAX: (028)8782-0771
关于电子测量仪器的维修和维护，请联系： 電計貿易(上海)有限公司 TEL: (021)5820-5887 FAX: (021)5820-4861 地址:上海市閔行区紫竹科学園区紫日路609号 URL: http://www.c-denkei.cn E-mail: denkei_china@c-denkei.cn 科電工程有限公司 TEL: (852)2559-2041 FAX: (852)2858-2555 地址:香港鲗鱼涌海湾街1号华懋交易广场25楼 URL: http://www.ese.com.hk/chs/location.htm
在线服务
电路板修理申请系统
登录该系统，电路板修理将变得更方便，正确及时的信息录入既可以降低修理费用，又可以加快修理速度。
登录链接： 电路板修理申请系统[VENUS]
存储器测试系统
