表 1 CKS32F030xx 器件的功能和外设数量 外设 CKS32F030F4 16 4 Flash (Kbytes) SRAM (Kbytes) CKS32F030K6 CKS32F030C6 CKS32F030C8 CKS32F030R8 32 32 64 64 4 4 8 8 定时 器 高级控制 1 (16-bit) 4 (16-bit) - (1) 通用 基本 4 (16-bit) - (1)4 (16-bit) - (1) 5 (16-bit) 1 (16-bit) 5 (16-bit) 1 (16-bit) 2 2 通讯 SPI I2C 1(2) 1(3) 1(2) 1(3) 1(2) 1(3) 2 2 2 接口 USART 1(4) 1 (11 通道) 1(4) 1 (12 通道) 1(4) 1 (12 通道) 2 1 (18 通道) 12 位同步 ADC (通道数) GPIO 最大 CPU 频率 工作电压 15 26 39 55 48MHz 2.4 ~ 3.6 V 工作温度 工作环境温度: -40 °C ~ 85 °C 结温：-40 °C ~ 105 °C 封装 TSSOP20 LQFP32 LQFP48 LQFP64
1. 没有 TIM15 2. 没有 SPI2 3. 没有 I2C2 4. 没有 USART2
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SWCLK SWDIO as AF Serial Wire Debug CORTEX-M0 CPU
fHCLK = 48 MHz NVIC Flash up to 64KB, 32 bits SRAM 4/8 KB @VDDA VDD18 POWER VOLT.REG 3.3V TO 1.8V POR Reset @VDD VDD=2.4 to 3.6V Vss Obl Flash interface GP DMA 5 channels RC HS 14 MHz RC HS 8 MHz RC LS PLL AHBPCLK Int SUPPLY POR/PDR SUPERVISION NRSTVDDA V DD @VDDA controllerSRAM@VDD XTAL OSC 4-32 MHz OSC_IN(PF0)OSC_OUT(PF1) PA[15:0] PB[15:0] PC[15:0] PD2 PF[1:0] PF[7:4] GPIO port A RESET & CLOCK CONTROL APBPCLKADCCLK GPIO port B USARTCLK HCLK FCLK IWDG Power Controller @VDD XTAL 32 kHz OSC32_IN(PC14) OSC32_OUT(PC15) GPIO port C RTC GPIO port D GPIO port F CRC RTC interface TAMPER-RTC (ALARM OUT) AHB decoder AHB APB 4 channels TIMER 1 TIMER 3 3 compl. Channels BRK, ETR input as AF 4 ch., ETR as AF TIMER 14 1 channel as AF 1 channel 1 compl, BRK as AF 1 channel 1 compl, BRK as AF 55AF MOSI, MISO,EXT.IT WKUP WWDG DBGMCU TIMER 16 SCK, SPI1 TIMER 17 NSS as AF SPI2 IR_OUT as AF MOSI/MISO SCK/NSSas AF SYSCFG IF @VDDA Temp. sensor 10 AD inputs 12-bitADC1 IF USART1 USART2 RX, TX, CTS, RTS, CK as AF RX, TX, CTS, RTS, CK as AF I2C1 I2C2 SCL, SDA, SMBA (20 mA for FM+) as AF SCL, SDA as AF VDDAVSSA TIMER 6
图 1 系统模块框图
1. 只有 CKS32F030x8 上存在 TIMER6，TIMER15，SPI2，USART2 和 I2C2。
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3 功能概述
3.1 基于 ARM?的 Cortex?-M0 内核嵌入闪存 FLASH 和 SRAM
ARM?的 Cortex ? -M0 处理器是 ARM 处理器中针对嵌入式系统的最新一代产品。它提供了一种低成
本的平台旨在满足使用较少引脚数和低功耗单片机的应用需求，同时提供出色的计算性能和先进的系统响 应中断。
ARM 的 Cortex ? -M0 的 32 位 RISC 处理器，以卓越的代码效率为特点，相比于同等的内存大小的 8
位和 16 位器件，预期 ARM 内核能提供更高性能的表现。
CKS32F030xx 家族采用嵌入式的 ARM 内核，因此与所有的 ARM 工具和软件兼容。图 1 显示了器件
的家族的框图。
3.2 储存器
该器件具有以下特点：
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高达 8K 字节的嵌入式 SRAM，可使用 CPU ?的时钟速度进行无等待的读写访问。并且针对需要
高可靠性的应用提供嵌入式校验检查功能。
非易失性内存被分为两个区域：?
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16 至 64K 字节的程序和数据嵌入式闪存。 选项字节。
选项字节用于对内存（4 KB 的粒度）进行写保护设置和/或对整个内存进行读保护设置，以及下列
选项：
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?
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0 级：没有读出保护。
1 级：FLASH 读保护，不允许在调试功能连接的时候或从 RAM 启动的时候对 FLASH 的读写操作。
2 级：芯片读保护，完全禁止调试功能（Cortex-M0 的串行线）和从 RAM 启动。
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3.3 启动模式
在启动时，引导引脚(boot pin)和引导选择选项位用于选择系统启动模式：
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从用户闪存引导启动??
从系统内存引导??
从嵌入式 SRAM 启动?
引导加载程序位于系统内存中。它是通过使用引脚 PA14/PA15 或 PA9/PA10 的 USART 来使 Flash 储存
器重新编程。
3.4 循环冗余校验计算单元（CRC）
CRC 计算单元用于从一个 32 位数据码和一个 CRC-32 多项式中获得一个 CRC 码。在很多其他应用中，
通常使用循环冗余校验的技术来检查数据传输或存储的完整性。在 EN/IEC 60335-1 功能安全标准范围内，
这提供了校验 Flash 存储可靠性的技术手段。CRC 计算单元可随时计算软件签名，使得可以在通讯和存储
的时候就地完成签名比较。
3.5 电源管理
3.5.1 供电方式
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VDD = 2.4 至 3.6 V：为 I/O 和内部稳压器供电的外部电源。由外部通过 VDD 引脚提供。?
VDDA = 从 2.4 至 3.6 V：外部模拟电源为 ADC，复位模块，RC 振荡器和 PLL 供电(当 ADC 使
用时，最小的模拟供电电压是 2.4V)。VDDA 电压必须总是大于或等于 VDD 电压，而且必须先上电。
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如何连接电源引脚的详细信息，请参阅图 10。
3.5.2 电源监测
上时正常运作，在阀值 VPOR/PDR 以下器件会保持在复位状态，而不需要外部复位电路来监测电源电压是否
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该器件集成了上电复位（POR）和掉电复位（PDR）电路。它们总处于工作状态，确保器件在 2V 以
低于指定的阈值。
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在 POR 只监视 VDD 供电电压。在启动阶段，它需要 VDDA 先上电，并高于或等于 VDD。? 在 PDR 监视 VDD 和 VDDA 供电电压，但 VDDA 电源监测可以被禁用（通过编程专用选项位），
以降低功耗，前提是由应用设计来确保 VDDA 一定高于或等于 VDD。
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3.5.3 稳压器
稳压器有两种工作模式并且在复位之后总是启动。
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MR 是被使用在正常工作模式（运行）。??
LPR 可以被用来在停止模式下当有降低功耗的需求。?
断电用于待机模式。在待机模式下：稳压器的输出是高阻状态：内核电路断电，使得电流消耗为零（同时寄
存器和 SRAM 的内容也将丢失）。
3.5.4 低功耗模式
CKS32F030xx 支持三种低功耗模式以便在功耗低，启动时间短，可用的唤醒源之间实现最佳的折衷：
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Sleep 模式 Stop 模式
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在 Sleep 模式下，只有 CPU 停止。所有外设继续工作，可以将 CPU 在中断/事件发生时唤醒。
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停止模式实现了非常低的功耗，同时保持 SRAM 和寄存器的内容。在内核电压区域所有的时钟都
停止，PLL，HSI 的 RC 和 HSE 晶体振荡器被禁用。稳压器也可以置于正常或低功率模式。器件
可以用任意的 EXTI 线从 Stop 模式唤醒。EXTI 线源可以是 16 个外部线之一或 RTC 报警。
?
Stadby 模式?
在待机模式下可实现最低的功耗。内部稳压器被关闭，所以整个内核电压区域断电。PLL, HSI RC
和 HSE 晶体振荡器也被关闭。进入待机模式后，SRAM 和寄存器的内容都将丢失，但 RTC 部分的寄存器和待机电路除外。当发生外部复位（NRST 引脚），IWDG 复位，WKUP 引脚上的上升沿，或 RTC 报警时，器件退出待机模式。
注：
RTC，IWDG 和对应的时钟源在进入停机或待机模式时不会停止。
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CKS32F030C6T6 中科芯CKS32位单片机 - 图文
