集成了电容器 的谐振器
CL1
OSC32_IN
32.768
kHz
f
LSE
增益控制
谐振器
OSC32_OUT
CL2
图 15 使用 32.768kHz 晶体的典型应用
注：OSC32_IN 和 OSC32_OUT 之间不需要添加外部电阻，并且禁止添加一个电阻。
6.3.8 内部时钟源特性
下表 32 中给出的特性参数是使用环境温度和供电电压符合表 17 的条件测量得到。提供的图像是表征 结果，未在生产中进行测试。
高速内部(HSI)RC 振荡器
表 32 HSI 振荡器特性(1) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fHSI 频率 - - 8 - - ±5 MHz TRIM DuCy(HSI) ACCHSI HSI 用户修整步骤 占空比 HSI 振荡器的精度 - - TA= -10~85°C - 45(2) - - 1(2) 55(2) - % % % % μs μA (工厂校准)(3) HSI 振荡器启动时间 HSI 振荡器功耗 TA= 25°C - - ±1 - 80 - tSU(HSI) IDDA(HSI) 1(2) - 2(2) - 1. VDD = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。
2. 由设计保证，不在生产中测试。
3. 与用户校准。
高速内部 14MHz (HSI14)RC 振荡器（ADC 专用）
符号 参数 表 33 HSI14 振荡器特性(1) 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fHSI14 频率 HSI14 用户修整步骤 占空比 HSI14 振荡器的精度(工 - 14 - - ±5 MHz TRIM DuCy(HSI14) ACCHSI14 TA= -40~85°C - 45(2) - 1(2) 55(2) - % % %
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厂校准) tSU(HSI14) IDDA(HSI14) HSI14 振荡器功耗 HSI14 振荡器启动时间 1(2) - - 100 2(2) - μs μA 1.
VDD = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。 2. 由设计保证，不在生产中测试。
低速内部(LSI)RC 振荡器
表 34 LSI 振荡器特性(1)
符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 fLSI 频率 40 42 44 kHz t(2) SU(LSI) LSI 振荡器启动时间 - - 85 μs I(2) LSI 振荡器功耗 DDA(LSI) - 0.75 - μA 1.
VDDA = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。 2. 由设计保证，不在生产中测试。
6.3.9 PLL 特性
表 35 列出的参数是使用环境温度和供电电压符合表 17 的条件测量得到。
表 35 PLL 特性 符号 参数 数值 最小值 典型值 最大值 单位 fPLL_IN PLL 输入时钟(1) 1(2) 80 24(2) MHz PLL 输入时钟占空比 40(2) - 60(2) % fPLL_OUT PLL 倍频输出时钟 16(2) - 48 MHz tLOCK PLL 锁相时间 - - 200(2) μs JitterPLL 周期间抖动 - - 300(2) ps 1.
需要注意使用正确的倍频系数，从而根据 PLL 输入时钟频率使得 fPLL_OUT 处于允许范围内。 2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
6.3.10 储存器特性
闪存储存器
除非特别说明，所有特性参数是在 T A= -40~85°C 得到。
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表 36 闪存储存器特性
符号 tprog 参数 16 位的编程时间 条件 TA= -40 ~ +85°C 最小值 20 最大值(1) - 单位 μs ms
tERASE tME 页(1K 字节)擦除时间 整片擦除时间 供电电流 TA= -40 ~ +85°C 2 - -
IDD TA= -40 ~ +85°C 10 4 ms mA 写模式 - -
擦除模式 4 2.4 mA V
Vprog 编程电压 - 1. 由设计保证，不在生产中测试。
表 37 闪存储存器寿命和数据保存期限
符号 参数 条件 最小值 单位 千次 NEND 寿命 TA= -40 ~ +85°C 100 10 1 千次(2)在 TA= 85°C 时 tRET 数据保存期限 1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
2. 在整个温度范围内循环。
年 6.3.11 EMC 特性
敏感性测试是在产品的综合评估时抽样进行测试的。
功能性 EMS(电磁敏感性)
当运行一个简单的应用程序时(通过 I/O 端口闪烁 2 个 LED)，测试样品被施加 2 种电磁干扰直到产生错
误，LED 闪烁指示了错误的产生。
??
?
静电放电(ESD)(正放电和负放电)施加到芯片所有的引脚直到产生功能性错误。这个测试遵从于?
IEC 61000-4-2 标准。
?
?
FTB：一个瞬变电压的脉冲群(正向和反向)通过一个 100pF 的电容施加在 VDD 和 VSS 上，直到产
生功能性错误。这个测试符合 IEC 61000-4-4 标准。
?
芯片复位可以使系统恢复正常操作。测试结果列于下表 38 中。
表 38EMS 特性 符号 参数 条件 级别/类型 VFESD C， 施加到任一 I/O 脚，从而导致功能错误的 VDD = 3.3V，LQFP48，TA= +25 °电压极限。 fHCLK = 48MHz。符合 IEC 61000-4-2 3B VEFTB
在 VDD 和 VSS 上通过 100pF 的电容施加 VDD = 3.3V，LQFP48，TA= +25 °C， 的、导致功能错误的瞬变脉冲群电压极限 fHCLK = 48MHz。符合 IEC 61000-4-4 4B 设计牢靠的软件以避免噪声的问题
在器件级进行 EMC 的评估和优化，是在典型的应用环境和优化的软件中进行的。应该注意的是，好的
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CKS32F030xx 数据手册
EMC 性能与用户应用和具体的软件密切相关。因此，建议用户对软件实行 EMC 优化和进行与对用户的应
用来说 EMC 相关的预测试。
软件建议
软件的流程中必须包含程序跑飞的控制，如：
?
?
?
?
被破坏的程序计数器
意外的复位
?
?
?
关键数据被破坏(控制寄存器等……)
?
认证前的试验
很多常见的失效(意外的复位和程序计数器被破坏)，可以通过人工地在 NRST 上引入一个低电平或在晶
振引脚上引入一个持续 1 秒的低电平而重现。
在进行 ESD 测试时，可以把超出应用要求的电压直接施加在芯片上，当检测到意外动作的地方，软件
部分需要加强以防止发生不可恢复的错误。
电磁干扰(EMI)
在运行一个简单的应用程序时(通过 I/O 端口闪烁 2 个 LED)，监测芯片发射的电磁场。这个发射测试符
合 IEC 61967-2 标准，这个标准规定了测试板和引脚的负载。
表 39 EMI 特性
符号 参数 条件 监测的频段 最大值(fHSE/fHCLK) 8/48MHz 单位 VDD= 3.3 V，TA= C，LQFP48 封装， 峰值 25°符合 IEC 61967-2 0.1~30MHz -3 23 SEMI 30~130MHz dBμV 130MHz~1GHz 17 4 SAM EMI 级别 -
6.3.12 电气敏感性
基于三个不同的测试(ESD，LU)，使用特定的测量方法，对芯片进行强度测试以决定它的电气敏感性 方面的性能。
静电放电(ESD)
静电放电(一个正的脉冲然后间隔一秒钟后一个负的脉冲)施加到所有样品的所有引脚上，样品的大小与
芯片上供电引脚数目相关(3 片 x (n+1)供电引脚)。这个测试符合 JESD22-A114/C101 标准。
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表 40 ESD 绝对最大值 条件 T=+25 °C，符合 JESD22-A114 符号 VESD(HBM) 参数 静电放电电压(人体模型) 封装 全部 类型 2 最大值(1) 2000 单位 VESD(CDM)
静电放电电压(充电设备模型) T=+25 °C，符合 ANSI/ESD V 500 全部 II 1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
静态栓锁
为了评估栓锁性能，需要在 6 个样品上进行 2 个互补的静态栓锁测试：
?
?
?
为每个电源引脚，提供超过极限的供电电压。?
在每个输入、输出和可配置的 I/O 引脚上注入电流。
?
这个测试符合 EIA/JESD 78A 集成电路栓锁标准。
表 41 电气敏感性 符号 参数 条件 类型 II 类 A LU C，符合 JESD78A 静态栓锁类 T = +105 °
6.3.13 I/O 电流注入特性
通常，在正常的产品操作期间，应避免由于外部电压低于VSS或高于VDDIOx(对于标准的3V I/O引脚) 而导致的I/O引脚电流注入。然而，为了在异常注入事件发生时给出微控制器的稳健性指示，在器件特
性分析期间以样品为基础进行敏感性测试。
I/O 电流注入的功能的敏感性
在器件上执行一个简单的应用程序时，在悬空输入模式下器件受到注入电流到编程的I/O引脚的压力。
当电流被注入I/O脚时，一次一个，检测器件是否发生功能故障。
超出范围参数指示故障：ADC误差超出待定限制(超过5LSB TUE)，超出传统相邻引脚上的电流注入限
制(超过–5 μA)或其他功能故障(例如，复位发生或振荡器偏差)。表42给出了表征结果。负引起的泄露电流是
由负向注入引起的，正向引起的泄露电流是由正向注入引起的。
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CKS32F030C6T6 中科芯CKS32位单片机 - 图文
