学生实验报告
课程名称：_____数字电路_____________
专业班级：__________________ 姓 名：__________________ 学 号：__________________
2019--2020学年第1学期
实验报告注意事项
1. 课前必须认真预习实验，认真书写预习报告，了解实验步骤，未预习或预习
达不到要求的学生不准参加实验；
2. 实验完毕，必须将结果交实验指导教师进行检查，并将计算机正常关机、将
仪器设备、用具及椅子等整理好，方可离开实验室； 3. 按照实验要求书写实验报告，条理清晰，数据准确；
4. 当实验报告写错后，不能撕毁，请在相连的实验报告纸上重写；
5. 实验报告严禁抄袭，如发现抄袭实验报告的情况，则抄袭者与被抄袭者该次
实验以0分计；
6. 无故缺实验者，按学院学籍管理制度进行处理；
7. 课程结束后实验报告册上交实验指导教师，并进行考核与存档。
实验项目( 二 ) — 预习报告 实验 名称 Multisim模拟：基本门电路 1. 掌握Multisim使用方法 2. 掌握NAND、NOR门和XOR门的逻辑函数仿真方法。 3. 由基本逻辑门组成的复合逻辑电路仿真方法。 要求： 1. 模拟 NAND 的输入和输出之间的逻辑关系。 2. 模拟 NOR 的输入和输出之间的逻辑关系。 3. 模拟 XOR 的输入和输出之间的逻辑关系 _____________________实验 目的 及 要求 4. 模拟由基本逻辑 IC 实现的逻辑表达式F?AB?A?B。 （1）模拟简单门的逻辑功能 在此实验中，使用TTL IC模拟基本逻辑门的输入-输出关系。本实验使用74个系列IC，如四元2输入NAND门74LS00、四元2输入或门74LS32、六角逆变器74LS04、四元2输入XOR门74LS86。它们可以在 Multisim 接口中找到，如图 1 所示。 实验 内容 及 原理 Figure 2.1 Multisim interface for TTL ICs （2）74 系列 IC 在Multisim 74LS00 包含四个独立的 NAND，可图 2 所示。 Figure 2.2 Multisim interface for 74ls00. 74LS32 包含四个独立的ORs，可图 4 所示。 Figure 2.3 Multisim interface for 74ls32. 74LS04包含六个独立的反转器，可以图5。 Figure 2.4 Multisim interface for 74ls04. 74LS86 包含四个独立的 XOR，可图 6 所示。 图 2.4 74ls86 的Multisim接口。 （3）模拟复合逻辑电路 该表达式包括 NAND、XOR、OR 和 NOT 等。它可以通过 74LS00、74LS86、_____________________74LS32 和 74ls04 实现。此表达式F?AB?A?B有两个输入（A 和 B）和一个输出 F。 （4）实验室设备和材料 安装了Multisim的计算机 预习 过程 中的 疑问 实验项目( 二 ) — 实验报告 实验 名称 Multisim模拟：基本门电路 指导教师 实验日期 分组情况 实验地点 实验环境 成 绩 使用开关、VCC 和接地为盖茨的输入生成逻辑 0 或 1，而 PROBE、LED、万用表作为输出的检测方法。开关可以如图2.5所示。VCC 和接地如图 2.6 所示。与图 2.7 所示的探测类似，万用表与图 2.8 所示。其他组件的添加方法类似，如LED、电阻等。模拟可以按按钮启动、暂停和停止，如图 2.9 所示。 实验过程（算法、代码、方法等） Figure 2.5 SWITCH in Multisim. Figure 2.6 VCC and GROUND in Figure 2.7 PROBE in Multisim. Figure 2.8 Multimeter in Multisim. Figure 2.9 simulating control button. （1）模拟 NAND 门的输入和输出之间的逻辑关系，如图 2.10 所示。 Figure 2.10 simulation circuit or NAND （2）模拟 NOR 门的输入和输出之间的逻辑关系，如图 2.11 所示。 Figure 2.11 simulation circuit or NOR （3）模拟XOR门的输入和输出之间的逻辑关系，如图2.12所示。 Figure 2.12 simulation circuit or XOR _____________________（4）尝试模拟F?AB?A?B输入和输出之间的逻辑函数，包括 1 NAND 门、1 个 XOR 门和 1 个 NOR 门，由 1 OR 门和 1 个 NOT 门实现。 （1）模拟 NAND 门的输入和输出之间的逻辑关系 根据图 2.10 绘制电路，并填写下表： 表1 NAND 逻辑关系表 INPUT Logic level： 0 0 1 1 Logic level： 0 1 0 1 1 1 1 0 OUTPUT Logic level： voltage（V） 5 5 5 0 实验结果（实验完成日期、结论及 分析、遇到的问题及解决方案、意见及建议等） （2）模拟 NOR 输入和输出之间的逻辑关系 根据图 2.11 绘制电路，并填写下表： 表 2 NOR 逻辑关系表 INPUT Logic level： 0 0 0 1 Logic level： 0 1 0 1 1 0 0 0 OUTPUT Logic level： voltage（V） 5 0 0 0 (3)模拟 XOR 门的输入和输出之间的逻辑关系 根据图 2.12 绘制电路，并填写下表： 表 3 XOR 逻辑关系表 INPUT Logic level： 0 0 1 1 Logic level： 0 1 0 1 0 1 1 0 OUTPUT Logic level： voltage（V） 0 5 5 0 _____________________（4）模拟 F?AB?A?B输入和 输出之间的逻辑关系。 根据上面的电路绘制电路，并填写下表： F 表达式的表 4 逻辑关系表 INPUT Logic level： 0 0 1 1 Logic level： 0 1 0 1 0 0 0 1 OUTPUT Logic level： voltage（V） 0 0 0 5
数电实验报告-Multisim模拟：基本门电路 - 图文
