2．动态分析 *电压放大倍数
在Re两端并一电解电容Ce后
输入电阻
在Re两端并一电解电容Ce后
* 输出电阻
八. 共集电极基本放大电路 1．静态分析
2．动态分析 * 电压放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3. 电路特点
* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。
第三章 场效应管及其基本放大电路
一. 结型场效应管（ JFET ） 1.结构示意图和电路符号
2. 输出特性曲线
（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）
转移特性曲线
UP ----- 截止电压
二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）
分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。 结构示意图和电路符号
2. 特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线
* N-EMOS的转移特性曲线
式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。 * N-DMOS的输出特性曲线
注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS
5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)
四. 场效应管的小信号等效模型
E-MOS 的跨导gm ---
五. 共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析
动态分析
若带有Cs，则
2.分压式偏置放大电路 * 静态分析
* 动态分析
若源极带有Cs，则
六.共漏极基本放大电路
* 静态分析
或
* 动态分析
第四章 多级放大电路
一. 级间耦合方式
1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。 二. 单级放大电路的频率响应 1．中频段(fL≤f≤fH)
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