《模拟电子技术》复习题10套及答案

由天下分享时间：2025/2/16 1:47:00 加入收藏我要投稿点赞

《模拟电子技术》复习题一

一、填空题

1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题

1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性

2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑

3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

D2-15V+-15V+8VR-+8V-Ui+B=50RfRe1Re2Re2图2-1图2-2图2-2UccRe1图2-5Rb1RcUccC2图2-1UccC1C1RsLus图2-5Rb1UccRcC1C2ididUgs+1Ugs+100-1-1-2-2UbsC1C2LRb2Re2RsRe1RLCeRe1Rb2Re2RLCeUbs图2-6C200图2-3图2-3us+1 图2-4图2-4 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝-4Ｖ，V2＝-1.2Ｖ，RR2R2R ）V3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（。

RRUo2Uo43：ｃ B 1-：ｅ、2：ｂ、+-R：ｃ、2：e、3：ｂ+1RA 1Uo2Uo4 A1-Uo1A2A4++-+：ｃ、2：ｂ、-+C 13：ｅA1Uo1A2A4 +R D 其它情况+-+5、集成运放中间级的作用是（ 2R R ）。RUo 2RR2RUo A 提高共模抑制比2R B 提高输入电阻 R- +2 C 提高放大倍数 D -提供过载保护 +4RA3Uo3+2R+6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（-- ）发生振荡。 +4RA3Uo3A 可能 R B + 不能

图3-17、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 RA 差 B 和 C 算术平均

图3-18、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2＝24V，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得RL的电压值约为21.6V，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B RL开路 C C开路 D 一个二极管和C开路 E 一个二极管开路 F 其它情况

9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联

10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）

A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题

（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。

（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替Re后电路的差模倍数增加。

（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。

（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。

（）7、RC桥式振荡电路只要Rｆ≤2R１就能产生自激振荡。

（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。

（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题