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大学物理实验PN结正向压降与温度特性的研究实验报告(完整)

由天下分享时间：2025/2/7 7:09:03 加入收藏我要投稿点赞

PN结正向压降与温度特性的研究

一、实验目的

1．了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。

2．在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被测

PN结材料的禁带宽度。 3．学习用PN结测温的方法。

二、实验原理

理想PN结的正向电流IF和压降VF存在如下近似关系

IF?Isexp(qVF) （1） kT其中q为电子电荷；k为波尔兹曼常数；T为绝对温度；Is为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明

Is?CTrexp[?qVg(0)kT] （2）

（注：（1），（2）式推导参考刘恩科半导体物理学第六章第二节）

其中C是与结面积、掺质浓度等有关的常数：r也是常数；Vg(0)为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。

将（2）式代入（1）式，两边取对数可得

?kcVF?Vg(0)??In?qIF?其中

?kTr?T?InT?V1?Vn1 （3） ?q??kcV1?Vg(0)??In?qIF?KTVn1??InTrq?????T?

这就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方

程。令IF=常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除线性项V1外还包含非线性项Vn1项所引起的线性误差。

设温度由T1变为T时，正向电压由VF1变为VF，由（3）式可得

VF?Vg(0)?Vg(0)?VF1??TkT?T???1n? （4） ??T1q?T1?r按理想的线性温度影响，VF应取如下形式：

VF理想?VF1??VF1(T?T1) （5） ?T?VF?VF1等于T1温度时的值。

?T?T由（3）式可得

Vg(0)?VF1k?VF1???r （6） ?TT1q所以

V理想?Vg?VF1k?Tk?VF1????r??T?T1??Vg(0)?Vg(0)?VF1??T?T1?r （7）

T1q?T1q???由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论

偏差为

kkTT??V理想?VF??r?T?T1??Ln()r （8）

qqT1设T1=300°k，T=310°k，取r=3.4*,由（8）式可得?=0.048mV，而相应的VF的改变量约20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，VF温度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于r因子所致。

综上所述，在恒流供电条件下，PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说，温度范围约-50℃—150℃)。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加；VF—T关系将产生新的非线性，这一现象说明VF—T的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料（如GaAs）的PN结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如Insb）的

PN结，则低温端的线性范围宽，对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度亦随温度的高低而有所不同，这是非线性项Vn1引起的，由Vn1对T的二阶

d2Vn11dVn1?可知导数的变化与T成反比，所以VF-T的线性度在高温端优于低温端，TdTdT2这是PN结温度传感器的普遍规律。此外，由（4）式可知，减小IF，可以改善线性度，但并不能从根本上解决问题，目前行之有效的方法大致有两种：

1、对管的两个be结（将三极管的基极与集电极短路与发射极组成一个PN

结），分别在不同电流IF1，IF2下工作，由此获得两者电压之差（VF1- VF2）与温度成线性函数关系，即

VF1?VF2?kTIF1In qIF2由于晶体管的参数有一定的离散性，实际与理论仍存在差距，但与单个PN结相比其线性度与精度均有所提高，这种电路结构与恒流、放大等电路集成一体，便构成集成电路温度传感器。

1．

Okira Ohte等人提出的采用电流函数发生器来消除非线性误差。由（3）式可知，

非线性误差来自Tr项，利用函数发生器，使IF比例于绝对温度的r次方，则VF—T的线性理论误差为?=0，实验结果与理论值颇为一致，其精度可达0.01℃。

三、实验方法与内容

1．实验系统检查与连接

A．取下样品室的简套（左手扶筒盖，右手扶筒套顺时针旋转），查待测PN结管和测温元件应分放在铜座的左、右两侧圆孔内，其管脚不与容器接触，然后放好筒盖内的橡皮0圈，装上筒套。0圈的作用是当样品室在冰水中进行降温时，以防止冰水渗入室内。

B．控温电流开关应放在“关”位置，此时加热指示灯不亮。接上加热电源线和信号传输线。两者连线均为直插式，在连接信号线时，应先对准插头与插座的凹凸定位标记，再按插头的紧线夹部位，即可插入。而拆除时，应拉插头的可动外套，决不可鲁莽左右转动，或操作部位不对而硬拉，否则可能拉断引线影响实验。实验仪器线路已接好，由老师演示，同学们无需再调。 2． VF（O）或VF（TR）的测量和调零

将样品室埋入盛有冰水（少量水）的杜瓦瓶中降温，开启测试仪电源（电源开关在机箱后面，电源插座内装保险丝），预热数分钟后，将“测量选择”开关（以下简称K）拨到IF，由“IF调节”使IF=50μA，待温度冷却至0℃时，将K拨到VF，记下VF（0）值，再将K置于?V，由“?V调零”使?V=0。

本实验的起始温度TS从室温TR开始，只测Si管，按上述所列步骤，测量VF（TR）并使?V=0。

3．测定?V—T曲线

取走冰瓶，开启加热电源（指示灯即亮），逐步提高加热电流进行变温实验，并记录对应的?V和T，至于?V、T的数据测量，可按?V每改变10或15mV立即读取一组?V、T，这样可以减小测量误差。应该注意：在整个实验过程中，升温速率要慢。且温度不宜过高，最好控制在120℃左右。

4．求被测PN结正向压降随温度变化的灵敏度S（mv/℃）。作?V—T曲线（使用Origin软

件工具），其斜率就是S。

5．估算被测PN结材料硅的禁带宽度Eg(0)=qVg(0)电子伏。根据（6）式，略去非线性，可

得

Vg?VF(0)?VF(0)?T?VF(273.2)?S??T T?T=-273.2°K，即摄氏温标与凯尔文温标之差。将实验所得的Eg（0）与公认值Eg（0）=1.21电子伏比较，求其误差。

四、数据处理

初识温度t?20.9C 有VF(20.9C)?601mV 加温电流0.3A

oo?(mV) T(oC) ?(mV) T(oC)