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(强烈推荐)年产碳化硅6000吨项目研究报告

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温度下形成,属低温产物,硬度稍小,主要用于微型轴承的超精研磨。六方型称为α—SiC,它是在2000℃以上形成的,硬度较大,一般常用的都是α—SiC。碳化硅在一个大气压下的分解温度为2400℃,无熔点。α—SiC碳化硅理论密度是3.18gcm3,碳化硅粉的自然堆积密度在1.2~1.6gcm3之间。碳化硅的莫氏硬度仅次于金刚石,在9.2~9.3之间,威氏显微硬度3300kgmm2 。由于碳化硅具有相当优异的特性,所以它的应用领域十分广泛。

碳化硅(碳化硅粉)用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏等。由于碳化硅的性质特点,最适合半导体工业材料及压电晶体材料方面的切割、研磨抛光等。尤其是在太阳能电池硅片切割中,国际上绝大多数生产厂家都要用到碳化硅。

利用它具有的高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高的高温强度及导热性能良好、抗冲击等特点,碳化硅可用于各种冶炼炉衬等构件、碳化硅坩埚等。可用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料。在航空航天工业碳化硅材料还可以制做火箭发动机喷管、燃气轮机叶片等。

6 2 光伏产业切割用碳化硅

光伏产业中所用的碳化硅主要在硅片切割工序。由于光伏产业对硅片有特别严格的要求,并且在切割效率和质量方面与碳化硅的选用有着密切的关系,所以,在碳化硅的选择使用方面都十分苛刻。

硅片切割用碳化硅多为绿碳化硅,在粒度选择上相对于不同机型的线切割机来说一般常见的有两种:1200与1500目(极少数采用800和2000目),且它的粒径范围要求狭窄,晶角要尖锐锋利,绝不能混入大颗粒物质,避免划伤硅晶片。为了防止金属离子对硅片的玷污,要求碳化硅的纯度要高。硅片切割用碳化硅国内没有统一标准(有的企业采用日本JZS工业标准),常用指标见表2—2。

表 2—2:光伏切割碳化硅主要技术指标

SiC SiO2;Fe2Si O3 0.2 F·C CaO MgO -- Na2O -- Cr2OC PH 灼碱 水分 3 - - 0.7 0.5 98.5 0.5 0.2 -- -- 第三节 技术经济指标

7 1、 废砂浆利用率

废砂浆中的碳化硅含量在65%左右,根据工艺水平提取率在80%左右总收率为50%左右。

2、 酸碱消耗量

生产一吨碳化硅,需要浓硫酸(98%)、烧碱的费用为300元。

3、 水、电的消耗量

生产一吨碳化硅要消耗水电费用500元。 4、干燥分级成本

生产一吨碳化硅干燥分级的费用700元。 5、人工成本

5.1到离心工段的人工成本为220元吨。 5.2到干燥干燥分级的人工成本为371元吨。 6、包装费用

6.1到离心工段的包装成本为22元吨。 5.2到干燥干燥分级的包装成本为100元吨。 6、 每吨产品的生产成本

目前,根据工艺技术的差异,生产一吨“碳化硅”的成本:不干燥不分级的成本=300+500+220+22=1042元吨;干燥分级的

8 成本=1020+700+151+100=1971元吨。

第二章 工艺技术方案

第一节 废砂浆回收处理工艺技术概况

国内外废砂浆回收提取碳化硅的方法,一般分为两种,即在线回收方式和离线回收方式。因为在线方式不能将碳化硅中的杂质分离完全,它的应用范围受到极大限制,只有少数硅片切割厂家结合其他方式部分采用。目前人们采用最多的是离线式回收方式,因为他有在线回收无可比拟的优点。

离线式废砂浆回收提取碳化硅方式,其工艺过程主要包括固液分离、碱处理(除硅)、清水洗涤、酸处理(除金属)、纯净水洗涤、脱水干燥、筛分(气流分)等。

第二节 生产工艺流程说明

一 工艺流程说明

在废砂浆处理时,首先用水将其稀释后沉淀,经过洗涤后的砂浆加入碱液浸泡反应脱除硅粉,反应完后的废碱液回收回用。碱洗后砂浆加酸反应,脱除其中金属离子,废酸液回用。酸洗后砂浆分别用常水与纯净水洗涤,洗涤水集中进行处理,处理后的水作为常水回用。

9 经过洗涤后的砂浆进入干燥、分级设备进行干燥、分级,分级完成后再用500目的旋振筛进行筛分,筛分后的碳化硅即为“碳化硅”,可以直接销售,也可以添加部分新碳化硅生产出“再生碳化硅”。

第三节 主要设备选择

废砂浆回收处理工艺中,特殊设备很少,主要选用常规的器械或者化工通用设备。对于该工艺中所用的个别设备如“搅拌机”等,可以委托专业机械制造厂进行定制加工,有的设备需要自制。主要设备设备种类见表。

有一部分设备或是需要自制、或没有统一的型号,其具体选择见下面说明:

1、搅拌机的选择

移动搅拌机必须定制;其它搅拌机一般选用带摆线针轮减速器的搅拌机;特殊用途的搅拌机另行选择。

2、硫酸罐、烧碱罐、盐酸罐

浓硫酸罐、烧碱罐可直接使用铁罐;盐酸罐及其它酸罐必须选用环氧树脂或塑料材质的罐。

3、粉体干燥设备

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温度下形成,属低温产物,硬度稍小,主要用于微型轴承的超精研磨。六方型称为α—SiC,它是在2000℃以上形成的,硬度较大,一般常用的都是α—SiC。碳化硅在一个大气压下的分解温度为2400℃,无熔点。α—SiC碳化硅理论密度是3.18gcm3,碳化硅粉的自然堆积密度在1.2~1.6gcm3之间。碳化硅的莫氏硬度仅次于金刚石,在9.2~9.3之间,威氏显微硬度3300kgmm2。由于碳化硅
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