Pu3M和PuM3(M=Ga,In,Sn,Ge)化合物的电子结构和形
成热
罗文华;蒙大桥;李赣;陈虎翅
【期刊名称】《物理化学学报》 【年(卷),期】2008(024)003
【摘要】采用全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法,在广义梯度近似(GGA)+自旋轨道耦合(SOC)+自旋极化(SP)下计算了具有AuCu3构型的Pu3M和PuM3(M=Ga,In,Sn,Ge)化合物的平衡结构、电子结构和形成热.计算的晶格常数与实验值符合得很好;态密度分析表明Pu和M原子轨道间的杂化作用决定于Pu 6d-Pu 5f、M p-Pu 6d 和M sp-M sp轨道杂化之间的竞争,而这种竞争又依赖于M的含量;电负性差和电子杂化效应是影响Pu3M和PuM3化合物形成热和稳定性的两个重要因素,电负性差越大,M的s.p带中心距费米能级越远,Pu3M(PuM3)化合物的形成热越负,稳定性越高. 【总页数】5页(388-392)
【关键词】全势线性缀加平面波;PucM和PuM3化合物;电子结构;形成热 【作者】罗文华;蒙大桥;李赣;陈虎翅
【作者单位】表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907;表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907;表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907;表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907 【正文语种】中文 【中图分类】O641 【相关文献】
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Pu3M和PuM3(M=Ga,In,Sn,Ge)化合物的电子结构和形成热
