新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高

新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高

作者：丁彬彬;赵芳;宋晶晶;熊建勇;郑树文;喻晓鹏;许毅钦;周德涛;张涛

作者机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631 来源：发光学报 ISSN：1000-7032 年：2013 卷：034 期：003 页码：345-350 页数：6

中图分类：TM23;O242.1 正文语种：chi

关键词：发光二极管(LED);电子阻挡层(EBL);数值模拟,效率下降

摘要：分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究.3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层.此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析.研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区).同时,具有Al组分渐变的