(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209747522 U(45)授权公告日 2024.12.06
(21)申请号 202420490045.X(22)申请日 2024.04.12
(73)专利权人 西交利物浦大学
地址 215000 江苏省苏州市工业园区仁爱
路111号(72)发明人 刘启晗 赵春 赵策洲 杨莉 (74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有
限公司 32103
代理人 范晴 吴音(51)Int.Cl.
H01L 29/786(2006.01)H01L 29/778(2006.01)
(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
权利要求书1页 说明书5页 附图1页
(54)实用新型名称
一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管
(57)摘要
本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。本实用新型是成本低廉，工艺简单，安全环保的薄膜晶体管。
CN 209747522 UCN 209747522 U
权 利 要 求 书
1/1页
1.一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；所述绝缘衬底位于最底层，所述绝缘衬底之上自下而上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；所述双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；所述双层金属氧化物半导体异质结包括采用溶液燃烧法在栅极绝缘层上形成的第一层金属氧化物半导体层和采用溶液燃烧法在第一层金属氧化物半导体层上形成的第二层金属氧化物半导体层；所述第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层之间形成了二维电子气。
2.根据权利要求1所述的一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：所述第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层为溶液燃烧法制备的碱金属参杂ZnO金属氧化物半导体层或In2O3金属氧化物半导体层。
3.根据权利要求1所述的一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极绝缘层为溶液燃烧法制备的氧化镓，氧化铪，氧化铝或氧化钪栅极绝缘层。
4.根据权利要求1所述的一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：采用喷墨印刷，光刻，丝网印刷或者使用一定图案的掩膜进行热蒸度或电子束蒸镀的方法在绝缘衬底的上表面上形成栅电极；采用丝网印刷，光刻，喷墨印刷或者使用一定图案的掩膜进行热蒸度或电子束蒸镀的方法在双层金属氧化物半导体异质结上分别形成源电极和漏电极。
2
CN209747522U一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管[专利]
