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电力电子实验报告
学号 姓名
12031006 王天然
精品
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实验一 功率场效应晶体管(MOSFET)特性
与驱动电路研究
一．实验目的：
1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法 2．掌握MOSEET对驱动电路的要求
3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法 二．实验设备和仪器
1． 分
NMCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部
2．双踪示波器
3．安培表（实验箱自带）
精品
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MOSFET+5V通1R13VD14R49VT215265812S1断10R2R3R5VT1+-14111316S2+15V断R6R720242527通78+VD3R1023C226R9192218VD2+C11721PWM波形发生R1 84S1主电路+5V断1R1L1R2通SV+断通RPR276555152313VD1R32通S2C1C2断R324RP图2-2 MOSFET实验电路4．电压表（使用万用表的直流电压档） 三．实验方法
1．MOSFET主要参数测试 （1）开启阀值电压VGS(th)测试
开启阀值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时（通常取漏极电流ID=1mA)的最小栅源极电压。
在主回路的“1”端与MOS 管的“25”端之间串入毫安表（箱上自带的数字安培表表头），测量漏极电流ID，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋
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到底，使Vgs=0。
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将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阀值电压VGS（th）。 读取6—7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入下表中。 ID（mA） Vgs（V） 0.2 2.64 0.5 2.72 1 2.86 5 3.04 100 3.50 200 3.63 500 3.89
（2）跨导gFS测试
双极型晶体管（GTR）通常用hFE（β）表示其增益，功率MOSFET器件以跨导gFS表示其增益。
跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比，即gFS=△ID/△VGS。
★ 注意典型的跨导额定值是在1/2额定漏极电流和VDS=15V下测得，受条件限制，实验中只能测到1/5额定漏极电流值，因此重点是掌握跨导的测量及计算方法。
根据上一步得到的测量数值，计算gFS=0.0038Ω
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北航电力电子实验报告
