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高频电子线路重点
第二章 选频网络
一. 基本概念
所谓选频（滤波），就是选出需要的频率分量和滤除不需要的频率分量。 电抗(X)=容抗（ ? )+感抗(wL) 阻抗=电阻(R)+j电抗( ?L?阻抗的模把阻抗看成虚数求模 二．串联谐振电路 11X??L??0??01.谐振时，（电抗） ? C ，电容、电感消失了，相角等于0，谐振频率： 0 ，此时|Z|最小
LC0=R，电流最大
2.当w
0差大小等于外加电压的Q倍，相位相反
1)??N( ?) e j? (?4.回路电流与谐振时回路电流之比 (幅频)，品质因数越高，谐振时的电流越大，比值? ?01?jQ(?) ?0?1?C1)?C越大，曲线越尖，选频作用越明显，选择性越好
2 ?5.失谐△w=w（再加电压的频率）-w0（回路谐振频率），当w和w0很相近时， ? 0. 7 ? ? 2 ? ? 1 ，
ξ=X/R=Q×2△w/w0是广义失谐，回路电流与谐振时回路电流之比 N (? ) ? ? 116.当外加电压不变，w=w1=w2时，其值为1/√2，w2-w1为通频带，w2，w1为边界频率/半功率点，广义失谐为±1 1??2R 2? ，品质因数越高，选择性越好，通频带越窄 7. 2 ? ? 0 ?7 f02?f12?f?8.通频带绝对值 0 ?7 通频带相对值 0.7?Qf0Q9.相位特性 ?0Q + – Vs L ???arctanQ???????0?10.能量关系
电抗元件电感和电容不消耗外加电动势的能量，消耗能量的只有损耗电阻。
?0????arctan ????C Q越大，相位曲线在w0处越陡峭 11122222222w?w?w?CQVsin?t?CQVcos?t?CQVsmLCsmsm回路总瞬时储能 22221Vsm112w?2π???2π?CQVsm回路一个周期的损耗 R2R?2012CQ2Vsm w L ? w C ? 2 ? 1 ? ， 所以 Q ? 2 π 回路储能 表示回路或线圈中的损耗。 Q1每周期耗能2wR2π2π?CQV sm2就能量关系而言，所谓“谐振”，是指：回路中储存的能量是不变的，只是在电感与电容之间相互转换；外加电动势只提供回路电阻所消耗的能量，以维持回路的等幅振荡，而且谐振回路中电流最大。 11. 电源内阻与负载电阻的影响 Q0QL ?RSRL1?? RRL三. 并联谐振回路 1 ?C1?L C 1.一般无特殊说明都考虑wL>>R，Z ? 1 CR????j??C??Is R?j??L??L?L???C??.
R .
反之wp=√［1/LC-(R/L)2］=1/√RC·√1-Q2
CRCR?1?1??LL?L??L???11L3.谐振时 B ? ? 0 ， ? p ? 回路谐振电阻Rp= =QpwpL=Qp/wpC C? ??LCRLCRp?L14.品质因数 Q p ? ? R p ? （乘Rp） ? P ?pCR?PCR?pL5.当w
并联电阻减小品质因数下降通频带加宽，选择性变坏 6.信号源内阻和负载电阻的影响
QL?2.Y(导纳)＝ ? j ? ? C C ? . ? 与串联不同 ? ? 电导(G)= 电纳(B)= ? ?R1QpQp?p?1? ? p L ?G p ? G s ? G L ? ? R p R p ? ? ? L
pL??1??P?RR?sL??由此看出，考虑信号源内阻及负载电阻后，品质因数下降，并联谐振回路的选择性变坏，通频带加宽。 四. 串并联阻抗等效互换 1.并联→串联
2RpXp22Rp?Xp2RpXp22Rp?XpRs?Xs?Q=Xs/Rs
2.串联→并联
Rp≈RsQ2 Xp=Xs Q=Rp/Xs 3.抽头式并联电路
为了减小信号源或负载电阻对谐振回路的影响，信号源或负载电阻不是直接接入回路，而是经过一些简单的变换电路，将它们部分接入回路。
Is Rp C + V P1 -— L P2 VL -— + RL Is Rp R ?L -— + V C P + RL VL a) -C L + R ?L -b) V C (a) (b) — —
C1 P C2 + + RL VL -— C L R ?L V -— 1?RL?2RLpp?
a) b) VLV考虑接入后等效回路两端电阻和输出电压的变化 第三章 高频小信号放大器
一. 基本概念
1.高频放大器与低频放大器主要区别： 工作频率范围、频带宽度，负载不同；
低频：工作频率低，频带宽，采用无调谐负载；高频：工作频率高，频带窄，采用选频网络 2.谐振放大器又称（调谐）/高频放大器：靠近谐振，增益大，远离谐振，衰减 3.高频小信号放大器的主要质量指标 1）增益：（放大系数） VoVoPoPo.
Av?ViAp?PiAv?20logViAp?10logPi.
（2—3dB，0.5—（-3dB） 2）通频带 1f02?f?增益下降到 时所对应的频率范围为 0? 7Q23）选择性
从各种不同频率信号的总和（有用的和有害的）中选出有用信号，抑制干扰信号的能力 a）矩形系数 K r 0 ?1 ? 0. 1 或 K r0.01 ? 0. 01 （放大倍数下降到0.1或0.01） K→1，滤除干扰能力越强，选择性越好
2?f2?f0.72?f2?f0.7Av0d?nb）抑制比 表示对某个干扰信号fn 的抑制能力
Avn A Av0 Avn f 4) 工作稳定性 不稳定引起自激 5）噪声系数
二．晶体管高频小信号等效电路与参数 1.形式等效电路（网络参数等效电路） h参数系
输出电压、输入电流为自变量，输入电压、输出电流为参变量 z参数系
输入、输出电流为自变量，输入、输出电压为参变量 y参数系（本章重点讨论）
fn f0 抑制比 输入、输出电压为自变量，输入、输出电流为参变量
??II输入导纳 y i ? ? 1 V 2 ?0 （输出短路） 输出导纳 y o ? 2 V? （输入短路） ??1?0V1V2??II21y?y?正向传输导纳 f ? V? ? 0 （输出短路） 反向传输导纳 r ? （输入短路） ?V2V1?0V1ｙfe越大, 表示晶体管的放大能力越强；ｙre越大, 表示晶体管的内部反馈越强。
yreyfe Y?y?yreyfeyfeV2Y?y?Av???ooeiieyie?Ysyoe?YLyoe?YL V1缺点：虽分析方便，但没有考虑晶体管内部的物理过程，物理含义不明显，随频率变化 参考书本62页例题 2.混合π等效电路
优点： 各个元件在很宽的频率范围内都保持常数。 缺点： 分析电路不够方便。
3.混合π等效电路参数与形式等效电路y参数的转换 yie=gie+jωCie yoe=goe+jωCoe yfe=|yfe|∠φfe yre=|yre|∠φre 4.晶体管的高频参数 1）截止频率fβ .?0??f
1?j f?1放大系数β下降到β0的 的频率
22）特征频率飞fT
2当β下降至1时的频率 f T ? f 0 ? 1 ，当β0>>1时, f T ? ? 0 f β 。 β ?3）最高振荡频率fmax
频率参数的关系:fmax?fT?fβ晶体管的功率增益为1时的工作频率
注意:f ≥fmax后，Gp<1，晶体管已经不能得到功率放大。
2? ??
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高频电子线路(知识点整理)
