Bi2Te3与SnBi2Te4的电子结构与热电性能研究

Bi2Te3与SnBi2Te4的电子结构与热电性能研究

闵新民;朱磊;邢学玲

【期刊名称】《功能材料》 【年(卷),期】2004(035)0z1

【摘要】用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了Bi2Te3与SnBi2Te4,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.Te(Ⅱ)-Bi离子键强度和Te(Ⅰ)-Bi差别不大,而Te(Ⅱ)-Bi共价键比Te(Ⅰ)-Bi强.Te(Ⅰ)-Te(Ⅰ)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱.Bi2Te3掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能级处带隙变小.Sn主要影响导带结构. 【总页数】4页(1156-1159)

【关键词】碲化铋;掺杂;电子结构;热电性能 【作者】闵新民;朱磊;邢学玲

【作者单位】武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 【正文语种】中文 【中图分类】O641 【相关文献】

1.拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se薄膜电子结构的第一性原理研究 [J], 马静; 雷玉玺; 王园; 周剑平

2.Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究 [J], 闵新民; 邢学玲; 朱磊 3.Bi2Te3-xSex(X≤3)同晶化合物电子结构的第一性原理研究 [J], 刘凤丽; 蒋刚;