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电子科技大学微电子与固体电子学院
标 准 实 验 报 告
（实验）课程名称 模拟集成电路原理
电子科技大学教务处制表
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电 子 科 技 大 学
实 验 报 告
学生姓名： 学 号： 指导教师：
实验地点：211-606 实验时间：2011-06-16 一、实验室名称：微电子技术实验室
二、实验项目名称：集成电路版图识别与提取 三、实验学时：4 四、实验原理
本实验重点放在版图识别、电路拓扑提取、电路功能分析三大模块，实验流程如下：
版图中元器件识别 电路拓扑提取 总体布局布线观察
打印输出 电路功能分析 复查，仿真验证 五、实验目的
（1）了解对塑封、陶瓷封装等不同封装形式的芯片解剖的方法及注意事项。（2）学习并掌握集成电路版图的图形识别、电路拓扑结构提取。 （3）能对提取得到的电路进行功能分析、确定，并可运用PSPICE等EDA工具展开模拟仿真。
六、实验内容
1、 Motic SMZ体视显微镜使用与操作练习。
2、在芯片上找出划线槽、分布在芯片边缘的压焊点、对位标记和CD Bar（特征
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尺寸线条）并测出有关的图形尺寸和间距。仔细观察芯片图形总体的布局布线，找出电源线、地线、输入端、输出端及其对应的压焊点。
3、判定此IC采用P阱还是N阱工艺；进行版图中元器件的辨认，要求分出MOS管、多晶硅电阻和MOS电容。
4、根据以上的判别依据，提取芯片上图形所表示的电路连接拓扑结构；复查，加以修正；应用PSPICE等电路模拟器进行仿真验证。
七、实验步骤
1、Motic SMZ体视显微镜使用与操作练习，重点放在视野定位、焦距调整和连续变倍等功能掌握。
2、对于未切割封装的裸圆片，先在低倍数放大状态下观察整体概貌；然后调高倍数，观察其中一块芯片（Chip），分清周围的划线槽和分布在芯片边缘的压焊点。
3、调节显微镜，在芯片内查找出对位标记和CD Bar（特征尺寸线条），绘下图形的形状，测出有关的图形尺寸和间距。由此，可确定此IC电路采用工艺的最小线宽和工艺容差。
4、仔细观察芯片图形的布局布线，找出电源线和地线（一般线条宽度较宽，并有多条支路与之相接）及其压焊点；再找出输入端或输出端，对于MOS电路，输入端一般都加二极管保护电路，可先查到有二极管保护电路的部分，分析与其相接的连线情况，确定输入端；输出端离输入端较远，应是从MOS管漏/源极引出，不会与MOS管栅极相接，由此初步确定为输出端，再根据附近的器件和布线情况加以确认。
5、根据在衬底和阱中的器件与电源线、地线的连接情况，判定此IC采用P阱还是N阱工艺：如果阱及其保护环与电源相接，而衬底与地或负电源（双电源时）相接，则为N阱工艺；如相反，则为P阱工艺。（注意分辨某些电路可能有阱电位浮空的情况出现）
6、确定了采用的工艺之后，进行版图中元器件的辨认。首先分清铝线和多晶硅连线，电路中压焊点、电源线、地线以及较长的布线都是铝线；其他与铝线交叉“过桥”和作栅电极的为多晶硅。多晶硅两侧是有源区，并有铝线引出的为MOS管；一段多晶硅下面无其他图形，两端用铝线分别引出的多晶硅或是为了解决与
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集成电路版图识别与提取
