解：①R1? ②VO可得
VO?V31V311.2??240~120?IRmin5~10R1?V31R1?R2R1?R2210?3000?1.2??18.343VR1210R1?R2?V31?1.2VR1R1?R2210?6200??1.2?36.63VR1210③当R2?0时，VOmax?V31当R2?6.2kΩ时，VOmax?V31即输出电压的VO的调节范围（1.2V～36.63V）。4.【评分标准】①6分；
②6分；
解：(1) ICQ=1mA,VCEQ=9.7V
(2) AVD=-71.4,Rid=5.6kΩ,Rod=12kΩ
《模拟电子技术》期末考试试卷4
一、填空题：（2８分，每空1分）
1、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。
2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；
若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。
3.简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对________信号有较强的放大作用。
4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v，则共模信号是 v，差模信号
为 v。。
5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。
6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_____了，但其他的性能得到了改善：
_________、_____________、____________、____________。
7、射极输出器的重要特点是____________、_______________和___________。
8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_____。源极输出电路的重要特点是______，____________和____________。
9、理想集成运放的条件是_________、_____________、___________、________和_________________。二、选择题：（20分，每题2分）
1、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变
4、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿性 c：电容特性
5、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和
电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA
6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流 放大系数β为（ ）。
A、β=100 B、β=50
C、β=150 D、β=25
8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ）
a．集电极最大允许功耗ＰＣＭ b．集电极最大允许电流ＩＣＭc．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果。
a.开路 b.C的容量过小c.C的容量过大 d.RL开路
10、在非线性失真中，饱和失真也称为（ ） a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真三、判断题：（８分，每题１分）9题图1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子
是自 由电子。（ ）
2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（ ）
3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（ ）4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（ ）5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（ ）6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（ ）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（ ）四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）
1． RC RB sV
2. VCCR1VCCRLviR2vo （ ） （ ）
五、综合题（38分）
1.已知如图：VＣＣ=12V，RB=100kΩ，RW=400KΩ， RC＝４ＫΩ，β＝３７.5
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 ）（8分） RW RＣ RＢ
+VＣＣC2
Ｃ1
2、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc＝12 V，RL＝6Ω，vI为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗 PCM至少应为多少？（3）每个管Ui子的耐压 |V(BR)CEO|应大于多少？（10分）
+VEERL=6Ω－VEE3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40，C=1000uF，u2=20
2sinwtV,现用万用表测量输出直流电压，如果出
现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分）④UO=18V:⑤UO=28V:⑥UO=9V:⑦UO=24V:
3题图4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替Rf,如图
(4)所示,试证明（10分）
voR2?R3?R2R3/R4??vsR1R2R1vsvNR4R3A?vovp图(4)
模拟电子技术期末试卷5答案(最新编写)
