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模拟电子技术期末试卷5答案(最新编写)

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《模拟电子技术》期末考试试卷1

2010.05

班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___

得分卷题号一二三四五总分阅得分阅卷一.填空(25分)

(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。(3)当PN结外加正向电压时,PN结内多子 扩散 形成较大的正向电流。(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组

成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频

特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。(8)假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为电路的放大倍数

Au1、Au2、Au3......Aun,那么多级放大

Au= AA......Au1u2un(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波

和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)

(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 (B) 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 (C) ;。

(A)电流负反馈 (B) 电压负反馈 (C) 直流负反馈 (D)交流负反馈

(2)RC串并联网络在

f?f0?12?RC时呈

(A)感性 (B) 阻性 (C)容性(3)通用型集成运放的输入级多采用 。 (A)共基接法 (B)共集接法 (C)共射接法 (D) 差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。 (A)β (B) β2 (C)2β (D)1+β(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是 (B) ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 (C) 。 (A)共基放大电路 (B) 共集放大电路 (C) 共射放大电路 (6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC > uB > uE 。 (A) > (B) < (C) = (D)≤(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 (A) 大 (B) 小 (C) 相等(8)在正弦波振荡器中,放大器的主要作用是( )。(A) 保证振荡器满足振幅平衡条件,能持续输出振荡信号(B)保证电路满足相位平衡条件(C)把外界的影响减弱

(9)图1中能组成复合管的是 (C) ,其类型是 (B) 。(A、PNP B、NPN)

(10)甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比,主要优点是( )。

(A)输出功率大 (B)效率高 (C) 交越失真小 (D)电路结构简单

三.判断题(每题2分,共30分)

(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( × )(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( √ )(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。 ( × )(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 ( √ )(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 ( √ )(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 ( √ )(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。 ( × )(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( √ ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。 ( × ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( √ ) (11)稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点,有利于提高频率稳定度。( √ )(12)只要工作点合适,晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。( × )

(13)同一放大电路,若要其增益增大,则其通频带宽度将减小。( √ )

(14)差动(差分)放大器的电压增益仅与其输出方式(单端或双端)有关,而与输入方式无关。( √ )

(15)为使输出电压稳定,稳压电源的输出电阻应愈大愈好。( × )

四.简答题(每题5分,共15分)

(1)简述放大电路的作用和本质。

答:放大电路作用是把微弱的电信号(包括电压、电流、功率)增强到负载所需要数值。

其本质是一种换能器,它利用电子器件的控制作用,在输入信号的作用下,将直流电源提供的功率转换成输出信号功率。(2)三极管导通的内部和外部条件是什么?

答:内部导通条件:发射区浓度高,基区浓度低且薄,集电结面积大于发射结面积。

外部导通条件:发射结正偏,集电结反偏。(3)理想集成运放的主要特点是什么?

答:1.开环差模电压放大倍数

Auo?0; 2.输入电阻Rid?∞; 3.输出电阻RO?0;

K?∞。

4.带宽BW?∞;转换速率SR?∞; 5.共模抑制比CMR五.计算题(每题5分,共10分)

(1)在如图所示的电路中,三极管的?为50,设三极管的UBE=0.7V,?VCC=+15V,

Rb?475k?,Rc?3k?求电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。

+VCCRbRcTZIBZ

模拟电子技术期末试卷5答案(最新编写)

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_______学号______姓名______分数______得分卷题号一二三四五总分阅得分阅卷一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是电子,掺杂越多,则其数量一定越多,相反,少数载流子应是
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