L＝VON×tON/△I＝VIN×D/f rIL＝VIN×D/f r(PIN/ DVIN)＝(VINMIN×DMAX)2/ f rPIN
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＝（108.2*0.43）/（26.667*2*67*10）＝605.8μH 实际600μH
5，确定磁芯和初级线圈的最小匝数 选择磁心有有几种不同的公式，有算磁心体积的，有算磁心截面积和开窗面积乘积的。总之，要适应本电源的实际应用，就要选择扁平的磁心。
2
《精通开关电源设计》提供的公式磁心体积Ve＝[0.7*（2+r）/r] * PIN/f f单位为KHz p99
3
Ve＝2229mm实际选择变压器，要求是扁平的形状，压低高度，利于超薄电源设计。
Np＝（1+2/r）*VON*D/（2*BPK*Ae*f）＝（1+2/r）*VINMIN*Dmax/（2*BPK*Ae*f） P100 P72 ＝（1+2/2）*120.19*0.43/（2*0.3*141*10-6*67*103）＝16.4 如取B＝0.2，则Np＝24.6匝 规格书没有磁心的Ae，实际测量的为Ae＝141mm2，供应商提供的实际变压器为28匝
6确定输出匝数
匝比n＝Np/Ns＝VRO/（Vo＋VF）＝90.67/（5.1+0.6）＝15.91 实际为14
则5V输出的匝数为Ns＝24.6/15.91＝1.55 则为2匝，1匝漏感大，实际是2匝 则Np＝2*15.91＝31.82＝32匝，实际28匝
VCC匝数为n＝（VCC＋VF）/（Vo＋VF）＝（16+0.6）/（5.1+0.6）＝2.91 NVCC＝2*2.91＝5.82＝6匝，实际为7匝 磁心气隙计算，也有不同的计算方式
第5章 导通损耗和开关损耗
开关损耗与开关频率成正比
Vgs电压增大，到超过MOSFET提供的最大负载电流值后，则是“过驱动”，有助于减小导通电阻。
MOSFET导通关断的损耗过程P145
1、 导通过程中，开关两端电压，直到电流转换完成才开始变化。即VI有交迭 2、 关断过程中，直到开关两端电压转换完成，其电流转换才开始
导通损耗，mosfet的导通损耗与占空比有关，与频率无关
寄生电容
有效输入电容Ciss，输出电容Coss，反向传输电容Crss，他们与极间电容的关系如下： Ciss＝Cgs＋Cgd Coss＝Cds＋Cgd Crss＝Cgd
则有下式（Ciss，Coss ，Crss在产品资料中有） Cgd＝Crss
Cgs＝Ciss－Crss Cds＝Coss－Crss
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门极开启电压Vt，mosfet的栅极有开启电压，只有栅极电压超过开启电压，才能使mosfet完全导通，即把流过mosfet的电流超过1mA时的状态定义为导通状态。 所以传导方程要改g＝Id/Vgs → g＝Id/（Vgs－Vt）
如上图简化模型，mosfet导通和关断各有4个阶段P150
导通是Id电流先增加t2，Vd电压后减小t3。电流增加时间是对Cg充电从Vt到Vt＋Io/g的时间。电压减小的时间是利用Cgd流出电流＝驱动电阻电流 关断是Vd电压先增加t2，Id电流后减少t3。电压增加时间是利用Cgd流出电流＝驱动电阻电流；电流减少是Cg放电从Vt＋Io/g到Vt的时间
t1阶段
导通过程t1，
Vgs从0上升到开启电压Vt，对Cg＝Cgs＋Cgd充电 关断过程t1，
Vgs下降到最大电流时电压Vt＋Io/g，Cg＝Cgs＋Cgd放电
t2阶段，有交越损耗 导通过程t2，
Id从0上升到Io＝g*（Vgs－Vt），
Vgs继续上升到Vt＋Io/g，对Cg＝Cgs＋Cgd充电 Vd因漏感出现小尖峰，其余Vd＝Vin不变。 t2是对Cg充电从Vt到Vt＋Io/g的时间。 关断过程t2，
Vgs被钳位于Vt＋Io/g不变，因为Io不变，Vgs＝Vt＋Io×g也不变。所以Cgs没有电流 Vd从0变至Vin，所以有电流流过Cgd注入栅极，同时有同样电流通过Rdrive流出。 t2时间，由I＝Cdv/dt ＝/t由上行知道=（Vt＋Io/g－Vsat）/Rdrive Vsat为驱动电路的晶体
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管导通电压，一般为0.2v
则t2阶段时间为＝Cgs×Vin×Rdrive/（Vt＋Io/g－Vsat）
t3阶段，有交越损耗 导通过程t3
Vgs被钳位于Vt＋Io/g不变，因为Id＝Io不变，Vgs＝Vt＋Io×g也不变。所以Cgs没有电流
Vd从Vin变至0，所以有电流流过Cgd流出栅极，同时有同样电流通过Rdrive流入。用这个来计算该阶段的时间。 关断过程t3
Vgs由Vt＋Io/g继续下降到Vt，Cg＝Cgs＋Cgd放电， Id从Io＝g*（Vgs－Vt）下降到0
Vd因漏感出现小尖峰，其余Vd＝Vin不变
t4阶段
该阶段，导通Vgs继续Cg充电，关断Cg继续放电。其它不变
栅荷系数，用来描述寄生缓冲电容的影响。目前都基于极间电容为定值来分析通断 P155 Idrive是驱动电路，通过Rdrive的电流
t1?t2根据C＝Q/V，Qgs＝Ciss×（Vt＋Io/g） Qgs＝
?Idrive*dt
0t1?t2?t3将I＝CdV/dt代入t3（Vin变化为0），Qgd＝Cgd×Vin Qgd＝
t1?t2?Idrive*dt
单独分析t3，将C＝Q/V代入该点，Qg＝Ciss×（0.9×Vdrive）＋Qgd
t1?t2?t3?t4Qg＝
?Idrive*dt
0
实际例子：
假设开关管的工作条件是：电流22A、电压15V、频率500KHz。其最低驱动电阻（一个幅值4.5V的脉冲通过它作用于栅极）是2Ω。关断时，开关管的关断电阻是1Ω。据此计算出其开关损耗和导通损耗。
Ciss＝Qgs/（Vt＋Io/g）＝8/（1.05+22/100）＝6299pF 在指定的曲线上Ciss＝4200pF
则缩放比例为Scaling＝6299/4200＝1.5 Ciss＝4200*1.5＝6300pF Coss＝800*1.5＝1200pF Crss＝500*1.5＝750pF 则
Cgd＝Crss＝750pF
Cgs＝Ciss－Crss＝6300－750＝5550 pF
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Cds＝Coss－Crss＝1200－750＝450 pF Cg＝Cgs＋Cgd＝6300 pF
导通时
时间常数是Tg＝Rdrive×Cg＝2*6300pF＝12.6ns 电流传输时间为
t2＝－Tg×In{1－Io/[g×（Vdrive－Vt）]}=－12.6×In{1－22/[100×（4.5－1.05）]}＝0.83ns 电压传输时间为
t3＝Vin×（Rdrive×Cgd）/[ Vdrive－(Vt+Io/g)]＝15*（2*0.75）/[4.5－(1.05+22/100)]=6.966ns 所以，导通过程的交叉时间是
tcross_turnon＝t2＋t3＝0.83+6.966＝7.796ns 因此，导通的交叉损耗是
P cross_turnon＝1/2×Vin×Io×tcross_turnon×fsw＝1/2*15*22*7.8*10-9*5*105＝0.64W
关断时
时间常数是Tg＝Rdrive×Cg＝1*6300pF＝6.3ns 电压传输时间为
T2＝（Vin×Cgd×Rdrive）/（Vt＋Io/g）＝（15*0.75*1）/（1.05+22/100）＝8.858ns 电流传输时间为
T3＝Tg×In[(Io/g+Vt)/Vt]＝6.3*In[(22/100+1.05)/1.05]=1.198ns 关断的交叉时间是
tcross_turnoff＝T2＋T3＝8.858+1.198＝10ns 因此，关断的交叉损耗是
Pcross_turnoff＝1/2×Vin×Io×tcross_turnoff×fsw＝1/2*15*22*10*10-9*5*105＝0.83w 最终总的开关交叉损耗是：
Pcross＝P cross_turnon＋Pcross_turnoff＝0.64+0.83＝1.47w Cds电容并不影响V－I重叠面积（因为不和栅极连接）。但是在开关管关断和导通时分别充电和放电，这也是额外损耗（消耗在那里？），在低压是不明显，但是在高压时这个损耗比较大。
P_Cds＝1/2×Cds×V2in×fsw＝1/2*450*10-12*152*5*105＝0.025w 因此总的开关损耗是
Psw＝Pcross＋P_Cds＝1.47+0.025＝1.5w 驱动损耗是
Pdrive＝Vdrive×Qg×fsw＝4.5*36*10-9*5*105＝0.081w
在反激DCM模式下，mosfet的导通损耗原则上是0，关断时，电感中电流为纹波电流。
第6章 布线要点
第7章 反馈环路分析及稳定性
需要数学知识有傅里叶变换、拉普拉斯变换。还要熟悉微积分、级数、复变函数。
第8、9、10、11、12、13、14章 传导EMI方面
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dBμV＝20×log（mV/10） P240
-3-6
1mV→20×log（10/10）＝60 dBμV
dB＝20×log（n）→1dB＝20×log（1.122） 0dB＝20×log（1）
传导发射的限制通常最高只达到30MHz，因为电网上30MHz以上的传到噪声会迅速衰减，不会传播的很远并造成干扰。
整流桥二极管会产生大量中频到高频的噪声，尤其在关断瞬间。
线路阻抗不平衡，会使CM噪声转变成DM噪声
这个实践性比较强，先写几个注意事项：
1， DM扼流圈放在AC输入端，用于DM噪声消除，一般DM扼流圈比较小， 2， 放2个CM扼流圈，一般CM扼流圈比较大，达到mH级，因为Y电容比较小 3， 在桥堆前面放一个X电容，用于平衡2线上的CM噪声，使CM扼流圈有用 4， Y电容不能太大，有安全考虑，LC滤波器的设计
5， DM噪声大部分因为，开关管的滤波电容，其ESR不能为0，开关管的电流在ESR上形
成噪声电压源。
6， CM噪声，主要来自开关管（漏极）和散热支架（接地）之间有耦合电容，高频开关电
压和地之间通过电容充放电，形成到地的CM噪声。还有一部分是来自变压器。P255-263
-6
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精通开关电源设计笔记
