实验3 半导体二极管伏安特性的研究

由天下分享时间：2024/10/23 7:21:52 加入收藏我要投稿点赞

实验3 半导体二极管伏安特性的研究

世界上的物质种类繁多，但就其导电性能来说，大体上可分为导体、绝缘体和半导体三类。某些物质，如硅、锗等，它们的导电性能介于导体和绝缘体之间，被称为半导体。半导体之所以引起人们极大的兴趣，原因并不在于它具有一定的导电能力，而在于它具有许多独特的性质。同一块半导体材料，它的导电能力在不同的条件下会有非常大的差别，比如，在很纯的半导体中掺入微量的其他杂质，它的导电性能将有成千上万倍地增加，并且可以根据掺入杂质的多少来控制半导体的导电性能。人们正是利用半导体的这种独特的性质做出了各种各样的半导体器件。

本实验通过对常用的半导体器件—二极管特性的研究，了解PN结的特性、结构和工作原理，并测量二极管的部分参数。

【实验目的】

1、了解PN结产生的机理和它的作用。 2、学习测量二极管伏安特性曲线的方法。

3、通过实验，加深对二极管单向导电特性的理解。

【仪器用具】

HG61303型数字直流稳压电源、GDM-8145型数字万用表、滑线变阻器、FBZX21型电阻箱、C31-V型电压表、C31-A型电流表、FB715型物理设计性实验装置、可调电阻及导线若干、普通二极管、发光二极管、稳压二极管等

【实验原理】

电学元件的伏安特性

在某一电学元件两端加上直流电压，在元件内就会有电流通过，通过元件的电流与其两端电压之间的关系称为电学元件的伏安特性。一般以电压为横坐标，电流为纵坐标作出元件的电压-电流关系曲线，称为该元件的伏安特性曲线。

对于碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等电学元件，在通常情况下，通过元件的电流与加在元件两端的电压成正比，即其伏安特性曲线为一通过原点的直线，这类元件称为线性元件，如图3-1的直线a。至于半导体二极管、稳压管、三极管、光敏电阻、热敏电阻等元件，通过元件的电流与加在元件两端的电压不成线性关系变化，其伏安特性为一曲线，这类元件称为非线性元件，如图3-1的曲线b、c。伏安法的主要用途是测量研究非线性元件的特性。一些传感器的伏安特性随着某一物理量的变化呈现规律性变化，如温敏二极管、磁敏二极管等。因此分析了解传感器特性时，常需要测量其伏安特性。

图 3–1 电学元件的伏安特性

在设计测量电学元件伏安特性的线路时，必须了解待测元件的规格，使加在它上面的电压和通过的电流均不超过元件允许的额定值。此外，还必须了解测量时所需其他仪器的规格（如电源、电压表、电流表、滑线变阻器、电位器等的规格），也不得超过仪器的量程或使用范围。同时还要考虑，根据这些条件所设计的线路，应尽可能将测量误差减到最小。

测量伏安特性时，电表连接方法有两种：电流表外接和电流表内接，如图3-2所示。

（a）电流表内接；（b）电流表外接

图 3–2 电流表的接法

电压表和电流表都有一定的内阻（分别设为Rv和RA）。简化处理时可直接用电压表读数U除以电流表读数I来得到被测电阻值R，即R=U/I，但这样会引进一定的系统性误差。使用电流表内接时，R实测值偏大；使用电流表外接时，R实测值偏小。通常根据待测元件阻值及电表内阻，选择合适的电表连接方法以减小接入误差的影响：测量小电阻时常采用电流表外接；测量大电阻时常采用电流表内接。如果已知电压表和电流表的内阻，利用下列公式可以对被测电阻R进行修正。

当电流表内接时：

R?UI?RA （3-1）

当电流表外接时：

1R?IU?1RV （3-2）

测量电学元件特性应注意以下几点：

(1) 要了解元件的有关参数、性能特点，实验中应保证元件安全使用、正常工作。加在元件上的电压及通过它的电流都应小于其额定数值。

(2) 安排测量电路时，电位器（或滑线变阻器）电路的选择应考虑到调节方便，能满足测量范围的要求。实验中经常采用分压电路，电路图见图3-3。为调节方便，一般电位器阻

值应小于负载电阻，但是电位器阻值过小会加重电源的负担。如细调程度不够，可以采用两个电位器组成二级分压（或限流）电路或粗、细调电路。

图 3–3 分压电路

(3) 使用指针式电表选取电表量程时，既要注意测量值不得超量程以保证仪表安全，又要使读数尽可能大以减小读数的相对误差。测量前应注意观察记录电表的机械零点。如零点不对，可小心调节调零螺丝，或记下零点值，进行系统误差修正。

(4) 确定测量范围时，既要保证元件安全，又有覆盖正常工作范围，以反映元件特性。根据测量范围选定电源电压。

(5) 合理选取测量点可以减小测量值的相对误差。测量非线性元件时，选择变化较大的物理量作为自变量较为方便，可以等间隔取测量点，在测量值变化较大时可适当增加测量点。

(6) 在正式测量之前，应对被测元件进行粗测，以大致了解被测元件特性、物理规律及变化范围，然后再逐点测量。 2.

PN结的形成

根据半导体物理学理论，在一块纯净半导体上，掺以不同的杂质，使一边成为N型（电

子型）半导体，另一边成为P型（空穴型）半导体，如图3-4所示，那么，在两者的交界面处就会形成一个PN结。在这个PN结的两边，由于电子和空穴（统称为载流子）密度差的存在，使得电了从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散。

图3-4 PN结示意图

靠近N区界面处的电子扩散到P区，并与P区空穴复合，而在N区界面处，剩下不能移动的施主正离子，构成一个带正电的空间电荷区；靠近P区界面处的空穴扩散至N区，并与N区电子复合，而在P区界面处，剩下不能移动的受主负离子，构成一个带负电的空间电荷区，由此而产生一个电场，称为PN结的内电场，其方向自N区指向P区，如图所示。显然，这个电场的方向与载流子的扩散方向相反，其作用是使得结内及其附近的载流子向扩散的逆方向运动（即漂移运动），当PN结的内电场增强到使得漂移运动和扩散运动的作用相等时，就达到了动态平衡，于是，在交界面处形成了稳定的空间电荷区，这就是PN结。由于PN结内电场的作用，使结内缺少载流子，结内电阻很高，因此，PN结是一个高阻区，也称阻挡层。PN结很薄，一般约为0.5μm。 3. PN结的单向导电性

PN结有一个很重要的特性，就是单向导电性，电流只能从一个方向流通。如图3-5所示，如果给PN结加上一个正向电压，即电源的正极接P区，负极接N区。由于这个外加的电源电压产生的电场方向从PN结内电场的方向相反，其效果将使结内电场减弱，空间电荷区变窄，PN结的电阻变小，扩散运动的作用超过漂移运动的作用，这样，扩散运动就连续不断地进行下去，有更多的载流子越过PN结，形成较大的正向电流IF。

如果给PN结加上一个反向电压，则反向电压的电场与PN结内电场的方向相同，空间电荷区变宽，PN结的电阻变大，在电场作用下的漂移运动超过扩散运动，这样，扩散无法进行，多数载流子受PN结的阻挡，无法流动，流过PN结的电流是漂移电流。而漂移电流是少数载流子的运动产生的，由于半导体中少数载流子的密度很小，所以PN结反向电流IR很弱，当温度不变时，随着PN结反向电压的增加，反向电流也略有增加，但很快就达到饱和，在一定的温度和电压条件下，硅管的反向饱和电流（用IS表示）约为μA数量级（不过，如果温度变化，则反向电流将作较大变化）

图3-5 PN结的单向导电性

4. 半导体二极管

（1）二极管的伏安特性

二极管是由一个PN结，加上接触电阻、引线和管壳构成的，常用下图所示的符号表示。

图3-6 二极管的表示符号二极管的一个重要特性，就是它的单向导电性—即正向导通，反向截止。理论分析表明，二极管的伏安特性可表达为：

ID=IS[exp(eUD/kT)-1] (3-3)

式中，ID为通过二极管的电流；IS为二极管的反向饱和电流，UD为二极管两端的外加电压；e为电子电荷（e=1.6×10C），k为波尔兹曼常数（k=1.38×10J/K），T为热力学温

-19

度（室温下，取T=300K），由于1eV=1.6×10J,kT/e具有电压的量纲，kT/e=0.26V。 1) 正向特性

图3-7给出了硅二极管的伏安特性曲线图从图中电流的变化规律，可以发现，在二极管正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流非常微小，二极管呈现出很大的电阻；当正向电压增加到一定数值时，内部电场大为削弱，二极管的电阻变得很小，电流才开始显著上升，这个电压称为二极管的门槛电压

-19

-23

Uth。一般来说，硅二极管的门槛电压为0.5～0.8V，为便于应用，通常把正向特性较直部分延长交于横坐标的一点，定为门槛电压值。直流电阻RD：二极管两端电压与流过二极管的电流比。

图3-7 硅二极管的伏安特性曲线

2) 反向特性

当给二极管加上反向电压时，便产生反向电流，反向电流很小，它是由少数载流子形成的。反向电流有两个特点：

a) 随温度的增加而增加很快，这是由于半导体中少数载流子的数量随温度增加而按指数规律迅速增长的缘故；

b) 反向电流基本上不随反向电压改变，当温度一定时，稍微加一点反向电压，就可以使全部少数载流子参与导电，再加大反向电压，反向电流也不会再增加，即达到饱和，故这个电流称为反向饱和电流。

从式（3-3）可知，在反向接法下，UD<0,当︱UD︱>0.1V时，exp(eUD/kT)<<1,此时，由式（3-3）得到反向电流为

ID=-IS （3-4）

此时，UD对ID几乎不起控制作用。

如果是锗二极管，其伏安特性曲线与硅管相比，正向曲线的上升部分要平缓一些，锗二极管Uth值为0.2～0.4V，反向饱和电流比硅管大，锗管的反向特性也不完全呈水平。（2）二极管的主要参数