IDT推出采用KZ恒阻抗技术的单极双掷RF开关改进RF开关性能

IDT推出采用KZ恒阻抗技术的单极双掷RF开关改进RF

开关性能

赵佶;

【期刊名称】《半导体信息》 【年(卷),期】2015(000)006

【摘要】<正>IDT公司的F2923在开关切换时能够在所有端口提供恒定阻抗,同时不影响隔离度、线性度或插入损耗IDT公司推出业界首款采用正在申请专利的KZ恒阻抗技术的单极双掷(SPDT)RF开关产品,IDT F2923是一款低插入损耗单极双掷吸收式(absorptive)RF开关,设计用于包括基站(2G,3G,4G,5G)、无线回程、CATV和便携式 【总页数】2页(P.29-30)

【关键词】低插入损耗;IDT;KZ;RF;CATV;吸收式;首款;隔离度;线性度;切换性能 【作者】赵佶; 【作者单位】; 【正文语种】英文 【中图分类】TM564 【相关文献】

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