2.4 漏极／源极间的导通阻抗RDS(on)MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。导通时的功耗2?ＰＴ= ＩＤ?ＶＤＳ（ｏｎ）= ＩＤＲＤＳ（ｏｎ）功耗与电流的平方成比例。越是大电流的产品，就越是需要具有低的导通阻抗。导通阻抗的各种相关性温度特性DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.CHANNEL TEMPERATURE5.03.5漏电流特性DRAIN TO SOURCE ON-STATERESISTANCE vs. DRAIN CURRENTＰｕｌｓｅｄRDS(on)-Drain to Source On-StateResistance-Ohm4.03.0Rds(on)-Drain to SourceOn-State Resistance-Ω2.53.0ＩＤ=3ＡＩＤ=6ＡＶＧＳ=10Ｖ2.02.01.51.01.0ＶＧＳ=20ＶＶGＳ=10Ｖ0.0-500501001500.50.00.1110100Tch-Channel Temperature-℃ＩＤ-Drain Current-A正温度特性=随温度上升而增加2.5内部容量MOSFET各端子间的容量2SK3113(600V/2A)的例容量值越小，QG越小，开关速度越快，开关损耗就越小。开关电源、DC/DC变换器等应用，要求较小的QG值。2.6电荷量QG: 栅极的总电荷量，VGS=10V时，达到导通状态所需的电荷量QGS: 栅极／源极间所要电荷量QGD: 栅极／漏极间所需电荷量2SK3918(25V/48A)的例电荷量Q=CＸV，而开关时间t = Q／I电荷的容量越大，所需开关时间t就越大，开关损失也越大。QGSQGDQG2.7开关时间开关时间测定电路DUTRLRG=25???RGID90%ID90%VGS栅极电压波形900%VGSVDD漏极电流波形10%0trtd(off)10%td(on)tontf????6G?33toff3=1?sDuty Cycle\1%Td(on):开始时间延迟，tr: 上升时间，Td(off):关断延迟时间，tf: 下降时间
MOSFET特性参数的理解 - 图文
