MOSFET特性参数的理解 - 图文 

2.电特性2.1漏电流DIDSS: 漏极与源极之间的漏电流。VGS= 0时，D与S之间加VDSSGSVDSSDIGSS: 栅极与源极之间的漏电流。VDS= 0时，G与S之间加VGSSGVGSSS2.2 栅极阈值电压VGS(off)或VGS(th)MOSFET的VDS= 10V，ID= 1mA时的栅极电压VGSDGS阈值电压的温度特性MOSFET具有负的温度特性，而且变化率比双极型晶体管大。如: 双极型晶体管约为－2.2mV／℃，MOSFET约为－5mV／℃VDS=10VID=1mA在使用温度范围内栅极的噪音必须控制在阈值以下，如果超过阈值电压，则误动作就会发生.2.3正向传到系数yfs单位VGS的变化所引起的漏极电流ID的变化。单位为S。相当与双极型晶体管的hFE例如: 3S时，VGS变化1V，那么漏极电流会增加3A。在作为负载开关用时，若是电容性负载，则进入ON状态时，因为给电容充电需要过渡电流，如果yfs太小，有时会出现开关不动作的现象。