MOSFET特性参数的理解 - 图文

电路比较(1) 以往产品(无抗雪崩保证)的电路必须有吸收电路以保证瞬间峰值电压不会超过VDSS。吸收电路吸收电路VD：电源电压VD：电源电压漏极／源极之间电压波形VDSS额定值VDS（Park)IDID漏极电流波形吸收电路VDSVDS导通期间关断期间稳压二极管(2) 有抗雪崩能力保证的产品，MOSFET 自身可以吸收瞬间峰值电压而无需附加吸收电路VD：电源电压MOSFET的耐压(BVDSS)漏／源间电压波形VDSS额定线ID漏极电流波形VDSVGS=0V???=SW OFF)导通期间关断期间VDSVDSS实际应用例额定电压VDSS为600V的MOSFET的雪崩波形(开关电源)雪崩发生600VVDSＩD开启波形关断波形抗雪崩能力保证定义单发雪崩电流IAS:下图中的峰值漏极电流单发雪崩能量EAS: 一次性雪崩期间所能承受的能量，以Tch≦150℃为极限连续雪崩能量EAR: 所能承受的反复出现的雪崩能量，以Tch≦150℃为极限抗雪崩能力测试电路DUTRG=25???LIASVDDIDBVDSSVDSRGVGS=20→0VSingle 50???VDDStarting Tch怎样选择MOSFET的额定值器件的额定电压值应高于实际最大电压值20%电流值应高于实际最大电流值20%功耗值应高于实际最大功耗的50% 而实际沟道温度不应超过－125 ℃上述为推荐值。实际设计时应考虑最坏的条件。如沟道温度Tch从50 ℃提高到100 ℃时，推算故障率降提高20倍。