MOSFET特性参数的理解 - 图文 

沟道温度Tch的计算利用热阻抗计算沟道温度有散热板的条件下Tch= Tc+Rth(ch-c)x Pt沟道／封装之间的温度差封装背面中央部或漏极的根部温度直立安装无散热板的条件下Tch=T?!+Rth(ch-?!)x Pt沟道／环境之间的温度差环境温度例：计算2SK3740在以下条件下的沟道温度Tch条件：有散热板，且封装背面温度Tc=50 ℃，现在功耗Pt= 2W(额定功耗PT(Tc=25℃)=100W)计算如下Tch=Tc＋Rth(ch-c)0?Pｔ50（℃）Rth(ch-c)= Tch= C2Tch(max)－TCPＴ（Ｔ=25℃）（Ｗ）1.25=（℃/Ｗ）52.5（℃）1.5 安全动作区SOASOA = Safe Operating Area 或AOS= Area of Safe Operating正偏压时的安全动作区ID安全动作区由５个限制区构成Ａ线…导通阻抗限制Ｂ线…额定电流限制Ｃ线…额定功耗限制Ｄ线…额定电压限制Ｅ线…二次击穿限制※※有些的产品有二次击穿, 有些产品无二次击穿。B线C线A线E线D线VDS1.7 抗雪崩能力保证对马达、线圈等电感性负载进行开关动作时，关断的瞬间会有感生电动势产生。１：开路２：接通３：关断感生电动势?6?$VSWVSW?6?$VSWVD开关两端的电压：VswSW两端施加的电压123