板式PECVD设备 ?多个独立的PECVD模块沉积双面非晶硅薄膜 ?每个PECVD模块具有独立的等离子体产生系统
~44m ~35m
自动化 上料腔 预热腔 I 层 沉积 N 层沉积 过渡腔 载板交换 过渡腔 预热腔 I 层 沉积 P 层沉积 下料腔 载板循环 11
板式PECVD设备 ?特殊腔体结构设计，减少驻波效应，保证等离子体的均匀性 ?腔壁辅助加热技术，保证整个腔体温度场均匀稳定 ?射频多点接入技术，具有更佳等电位分布均匀性 ?采用添加偏置电压的方式提高薄膜质量 ?快速匹配技术，功率稳定所需时间短
12
板式PECVD设备 测试结果 膜厚（nm） 测试模型 中心点边108.3边1 104.3 抛光片 边2 108.3 c-Si 1 膜厚均匀性1.9% i a-Si on polished c-Si 平均值边34 中心点 106.56105.9106 边抛光片 边12 100.197.3 96.4 c-Si 2 边3 93.5膜厚均匀性3.4% i a-Si on polished c-Si 片间均匀性4.5% 平均值边4 97.3699.5 中心点 边 101.2 边12 99.5 抛光片 边99.7 c-Si 3 101.5膜厚均匀性2.9% i a-Si on polished c-Si 平均值边34 101.44105.3 13
PECVD设备 采用高阻n型硅片，镀膜后硅片少子寿命>3000μs
3270 3302 3709 3762 3121 3812 3503 3979 3424 3872 3395 3469 4218 3343 3589 3681 3898 4128 3854 3534 3722 3712 3782 3328 3846 板式?14
板式PECVD设备 ?采用高阻n型硅片，开路电压>730mV，最高可达745mV ?电池平均开路电压>740mV ?电池双面率>90%
?最佳电池正面转换效率23.34%，背面转换效率22.61%
开路电压（mV） 短路电流（A） 填充因子（%） 转换效率（%） 电池正面 742 9.4987 80.89 23.34 电池背面 686 10.0484 80.19 22.61 15
许烁烁-核心装备国产化加速异质结电池 产业化进程 - 图文
