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复旦大学2013年入学研究生 《半导体器件原理》专业课程考试大纲
《半导体器件原理》包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
考试题型：选择题、名词解释、推导题、计算题 总分：150分 一．半导体的电子状态
1. 半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质 2. 半导体中的电子状态和能带 3. 载流子在外场下的运动规律 4. 杂质和缺陷能级 二．半导体的载流子统计 1. 状态密度和统计分布函数
2. 本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计 三．半导体的载流子输运 1. 载流子的散射
2. 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 3. 强电场下的输运
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4. 霍耳效应 四．非平衡载流子
1. 非平衡载流子的直接复合与间接复合 2. 陷阱效应
3. 载流子的扩散运动、双极扩散 4. 连续性方程
五．pn结、金半接触以及异质结 1. 平衡pn结的特性 2. pn结的电流-电压特性 3. pn结的势垒电容与扩散电容 4. pn结的频率特性和开关特性 5. pn结的击穿
6. 金半接触能带图以及电流-电压特性 7. 欧姆接触
8. 异质结能带图以及二维电子气 六．双极型晶体管的直流特性 1. 双极型晶体管的基本原理
2. 双极型晶体管的直流特性及其非理想现象 3 漂移晶体管的直流特性 4. 双极型晶体管的反向特性 5. Ebers-Moll方程
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七．双极型晶体管的频率特性与开关特性 1. 低频小信号等效电路
2. 放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数 3. 高频等效电路
4 漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理 5. 电荷控制理论与双极型晶体管开关时间 八．半导体表面与MOS结构 1. 半导体表面空间电荷层的性质 2. 实际 Si-SiO2界面
3. 理想与实际MOS结构的C-V特性 九．MOS场效应晶体管的直流特性 1. MOS FET的结构和工作原理 2. MOS FET的阈值电压以及影响因素
3. MOSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应） 4. MOSFET的直流参数 5. MOSFET的击穿特性 6. MOSFET 的小尺寸效应原理
7. 载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性 8. MOSFET的按比例缩小规律 十．MOSFET的频率特性与开关特性
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1. MOSFET的交流小信号等效电路 2. MOSFET的高频特性
3. 常见MOS倒相器及其开关特性
《半导体器件基本知识》考试大纲
