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电子元器件测试系统技术参数

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电子元器件测试系统技术参数

一.基本系统指标:

1. 可实现至少20个通道的平行数据采集

2. 可满足双电极和三电极(场效应管)器件的参数测量需求

3. 可采集电流、电压和电阻参数的时间曲线,即进行I-t, R-t等曲线的测量 4. 在进行场效应管特征曲线扫描时,提供快速扫描功能以实现特征曲线的时间序列数据收集

5. 电流测量的精度在nA以上

6. 系统包含电压/电流源设备以及多通道数据采集设备

二.基于仪器设备的解决方案(配套软件设计)功能指标:

1. 可绘制I-t(电流随时间变化)、V-t(电压随时间变化),R-t(电阻随时间变化),I-V、V-I曲线,场效应管曲线,电流、电压、电阻随时间变化曲线采样间隔可调,采样时长可调、并且可实时显示。

2. 基本的数据处理功能,如曲线绘制,多图重叠绘制等,可以自定义通道的多分组图形显示。

3. 测量时可选择不同通道,并可自定义通道名称、功能及测量参数定义。 4. 可设置通道数据上下限监控,对于超出范围的测量值实时提醒并保存日志。 5. 通道间数据的实时比较、差值。

6. 数据实时保存成CSV文件,方便进行数据分析。

7. 软件功能可根据系统初期调试(数据实测)结果进行调整补充。 8. 软件内容可根据后续通道的扩展需求进行修改。

三.设备性能指标:

A. 源表部分

1. 电压源输出指标:

最小量程:200mV,编程分辨率:5μV,输出精度:0.02% + 375 μV。 最大量程:200V,编程分辨率:5mV,输出精度:0.02% + 50 mV。 2. 电流源输出指标:

最小量程:100nA,编程分辨率:2pA,精度:0.06%+100pA。 最大量程:1.5A,编程分辨率:50μA,精度:0.06%+4mA。 3. 电压测量指标:

最小量程:200mV,分辨率:100nV,精度:0.015%+225μV。 最大量程:200V,分辨率:100μV,精度:0.015%+50mV。 4. 电流测量指标:

最小量程:100nA,分辨率:100fA,精度:0.06%+100pA。 最大量程:1.5A,分辨率:1μA,精度:0.05%+3.5 mA。

B. 多通道数据采集设备: 1. 电压测量:

最小量程:100mV,分辨率:0.01μV,精度:10ppm*读数+9ppm*100mV。 最大量程:300V,分辨率:100μV,精度:10ppm*读数+9ppm*300V。 2. 电阻测量:

最小量程:1Ω,分辨率:0.1μΩ,精度:15ppm*读数+80ppm*1Ω。 最大量程:100MΩ,分辨率:10Ω,精度:800ppm*读数+30ppm*100MΩ。

电子元器件测试系统技术参数

电子元器件测试系统技术参数一.基本系统指标:1.可实现至少20个通道的平行数据采集2.可满足双电极和三电极(场效应管)器件的参数测量需求3.可采集电流、电压和电阻参数的时间曲线,即进行I-t,R-t等曲线的测量4.在进行场效应管特征曲线扫描时,提供快速扫描功能以实现特征曲线的时间序列数据收集5.电流
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