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潜在过程失效模式及后果分析（设计FMEA)
项目名称： 过程责任部门： 编制者： 编制日期： FEMA编号： .
功能/要求潜在失效模式严潜在失效后重果度(S)潜在失效起因/机理频度（O）现行预防设计控制探措施执行结果风险顺序测现行探测设计控制数严重度R.P.N采取的措施度频度探测度R.P.N（D）1、原边MOS管电压，电流，静电，栅极电压失效1、元器件降额设计严格参照GJB35-932、选用市场成熟，高可靠MOS管3、MOS管栅极加瞬态抑制二极管4、变压器采用PCB走线设计，振荡尖锋电压低MOS管来料检验（应力，电流等）可靠性实验52401、可靠性实验筛选2、调试时重点察看DS波形8351206１、MＯＳ管靠近金属底壳,便于散热2、灌封散热性好的导热胶导热显微镜下观察3、加大PCB散热铜铂面积4、电路采用半桥设计，两个MOS管散热1、设计时留足够余量2、PCB绕线宽度1.5mm以上，铜铂厚度2oZ2、散热胶导热尽可能拉大间距选型时留足够余量加宽走线，增加铜厚来料检查无输出电压输入主功率回路短值,引发输路入设备短路82、原边MOS管散热接触不良，导致热击穿580输入功率回路3、功率变压器散热不良或设计不良引发磁饱和254014、PCB布局，布线不符合安全间距要求5、输入电容C2、C3电压击穿1、PCB走线太窄，散热不足，烧断输入开路无输出电压82、引出脚接触不良23、焊盘设计不合理导致虚焊2121PCB布局布线审查来料检验可靠性实验PCB布局布线审查2321648161、增加接触面积2、沉金处理PCB布局布线审查3、焊盘孔深度1.5mm以上合理设计焊盘PCB布局布线审查348232第 1 页，共 22 页
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功能/要求潜在失效模式严潜在失效后重果度(S)潜在失效起因/机理频度（O）现行预防设计控制探措施执行结果风险顺序测现行探测设计控制数严重度R.P.N采取的措施度频度探测度R.P.N（D）1、使能电路参数设置不合理使能失效不能达到外外部控制使能电压与要求不部控制的目符的8合理搭配参数31、基准源远离功率电路2、信号地与功率地分开走线参照元器件降额设计要求1、设计时匹配参数2、选择X7R电容设计时匹配参数1、选择合理参数供电电路2、增加辅助电源电路1、根据实际情况设计好变压器参数2、选择温度范围宽的磁芯1、选用发热小的器件2、选用市场上成熟元器件4原理图审查调试，测试记录表PCB布局布线审查4962、基准源受干扰33、元器件降额余量不足333496纹波小于输入纹波电流超出性能下降，150mA要求用户不满意51、输入电容电感参数不匹配2、环路参数设计不合理1、输入供电电路参数不合理原理图审查原理图审查调试，测试记录表原理图审查调试，测试记录表原理图审查调试，测试记录表原理图审查调试，测试记录表3343724560302空载小于性能下降，空载输入电流超标用户不满意100mA2、变压器感量达不到要求523303、器件本身导致来料检验可靠性实验验证81601、输入欠压电路参数不合理，容差设计不足31、根据实际情况和元器件特性匹配好参数原理图审查2、容差设计时，选择调试，测试记录中间值，上下都留足够表的余量484输出或输入
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功能/要求潜在失效模式严潜在失效后重果度(S)潜在失效起因/机理频度（O）现行预防设计控制探措施执行结果风险顺序测现行探测设计控制数严重度R.P.N采取的措施度频度探测度R.P.N（D）过早欠压无输入欠压符输入欠压失效或超输出或输入合规格要求出标准范围欠压关不断72、PWM芯片受干扰导致芯片内部基准不稳定23、选用器件余量不足或器件本身失效41、芯片信号地与功率地分开走线2、PWM芯片远离高温器件3、加大芯片散热焊盘的面积1、元器件降额设计严格参照GJB35-932、选用市场成熟，高可靠元器件3、选用1%精度电阻和基准源原理图审查PCB布局布线审查342来料检验可靠性实验验证41121、输出稳压电路参数不合理，容差设计不足5性能下降或达不到使用输出电压输出电压偏高或偏电压，用户4.9-5.1V低无法正常使用1、根据实际情况和元器件特性匹配好参数原理图审查2、容差设计时，选择调试，测试记录中间值，上下都留足够表的余量1、电压准源远离功率器件2、电压基准源远离散热器件3、电压采样靠近输出未端4、功率地与采样地单独走线根据实际情况设计变压器，电感值选用普军级电阻414072、基准源受干扰原理图审查PCB布局布线审查34223、变压器，电感设计不合理4、分压电阻阻值发生变化33调试，测试记录表来料检验可靠性实验验证3763第 3 页，共 22 页
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功能/要求潜在失效模式严潜在失效后重果度(S)潜在失效起因/机理频度（O）现行预防设计控制探措施执行结果风险顺序测现行探测设计控制数严重度R.P.N采取的措施度频度探测度R.P.N（D）带容性负载性能下降，带容性负载不起机起机用户不满意1、初级检流电路保护72、环路参数设计不合理32输出性能下降，输出电压不能调整用户不满意63、调整电路失效或参数不合理34、振动后，引针接触不良1、反馈环路设计不合理2、输出滤波电容耐纹波能力低或容值降低431、检流电路留余量2、检流电路适当延时3、选择普军级电阻电容根据实际情况调整环路参数1、根据规格书要求，调整参数，留出至少5%余量2、选用高可靠性元器件加大，加深引针焊接孔根据实际情况调整环路参数1、选用容值大输出电容2、选用普军级X7R电容留20%余量设计电感1、功率回路尽可能小2、输出回路先经过电容，再进行输出3、每只电容上功率回路尽可能一样长1、选用低导通内阻MOS管2、选择电流大的MOS管根据实际情况调整好参数来料检验可靠性实验验证调试，测试记录表调试，测试记录表来料检验可靠性实验验证调试，测试记录表PCB布局布线审查可靠性实验验证调试，测试记录来料检验可靠性实验验证调试，测试记录可靠性实验验证调试，测试记录448314735464331448410584输出纹波小于100mV输出纹波高性能下降，影响用户使用5473、输出电感参数设计不合理4、PCB布局，布线不合理51、功率器件选择不合理32、磁性设计不合理性能下降或过热损坏无
输出
3PCB布局布线审查270来料检验可靠性实验验证可靠性实验验证调试，测试记录33636388.5%
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功能/要求潜在失效模式严潜在失效后重果度(S)潜在失效起因/机理频度（O）现行预防设计控制探措施执行结果风险顺序测现行探测设计控制数严重度R.P.N采取的措施度频度探测度R.P.N（D）效率不低于88.5%效率低性能下降或过热损坏无输出73、散热不良，导致元器件过热34、PCB铜铂压降太大31、输出MOS管热击穿输出功率回路单元输出短路无输出832、输出MOS管电击穿3、输出滤波电容击穿244、PCB走线跳火21、检流电路参数设置不合理72、元器件失效或老化25输出过流单输出过流，短路保性能下降，元护失效用户不满意1、主要散热器件贴进金属底壳2、灌封时，先在底部灌封一层，再装PCB板3、选择散热性好的导热胶尽可能加粗加厚主功率回路铜铂1、选用低导通内阻MOS管2、加大MOS铜铂散热面积3、MOS管尽量远离变压器电感4、MOS管放在PCB靠底壳一面5、采用双MOS并取使用MOS管实际尖峰电压不超过MOS管DS电压70%1、选用10V耐压滤波电容2、选用普军级以上等级电容PCB线与线之间距离满足安全间距的条件下尽量拉开1、过流点设置在中间值2、根据实际情况调整参数选用普军级电阻电容，远离散热器件PCB布局布线审查7147PCB布局布线审查242来料检验可靠性实验验证PCB布局布线审查5120可靠性实验验证来料检验可靠性实验验证7112396PCB布局布线审查348原理图审查容差分析来料检验PCB布局布线审查3427245第 5 页，共 22 页
电源潜在失效模式分析 DFMEA
