第4章常用半导体器件-选择复习题
1．半导体的特性不包括 。
A. 遗传性 B.光敏性 C.掺杂性 D. 热敏性
2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 。
A.漂移运动 B. 扩散运动 C.有序运动 D.同步运动
3．N型半导体中的多数载流子是 。
A.自由电子 B.电子 C.空穴 D.光子
4．P型半导体中的多数载流子是 。
A.空穴 B.电子 C. 自由电子 D.光子
5．本征半导体中掺微量三价元素后成为 半导体。
A.P型 B.N型 C.复合型 D.导电型
6．本征半导体中掺微量五价元素后成为 半导体。
A. N型 B. P型 C.复合型 D.导电型
7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 。
A.扩散运动 B.漂移运动 C.有序运动 D.同步运动
8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只 。
A.二极管 B. 三极管 C.电子管 D.晶闸管
9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层 ，电子不容易通过。
A.变厚 B.变薄 C. 消失 D.变为导流层
10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层 ，电子容易通过。
A.变薄 B. 变厚 C. 消失 D.变为导流层
11．PN结的基本特性是 。
A.单向导电性 B. 半导性 C.电流放大性 D.绝缘性
12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 。
A.截止区 B. 发射区 C.基区 D.集电区
13．稳压二极管一般要串 进行工作，以限制过大的电流。
A 电阻 B电容 C电感 D电源
14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
16．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0 V C．10V D．1.5V
17．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
18．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0V C．10V D．1.5V
19．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．3 V B． 0V C．10V D．1.5V
20．三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 C 。
21．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE 近似等于电源电压UCC，IC
近似等于零时，则该管的工作状态为 。
A. 截止 B. 饱和 C.放大 D.不能确定
22．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE 近似等于0，IC近似等于
UCC/RC，则该管的工作状态为 。
A.饱和 B.截止 C.放大 D.不能确定
23．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 。
A. 6V B. 4.6V C. 5.3V D. 1.4V
24．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 。
A. 10.6V B. 1.4V C. 5.3V D. 0V
25．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 。
A. 1.4V B. 4.6V C. 5.3V D. 6V
26．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 。
A. 0.7V B. 4.6V C. 1.4V D. 6V
27．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 。
A. 5.3V B. 4.6V C. 1.4 V D. 6V
28．二极管的用途不包括 。
A. 放大 B.钳位 C.保护 D. 整流
29．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为 。
A. UBE>0，UBC<0 B. UBE>0，UBC>0 C. UBE<0，UBC<0 D. UBE<0，UBC>0
30．在如图所示的二极管电路中， 二极管Ｄ1导通； Ｄ2截止。设二极管正向压降为0V，则ＵAB为_______V。
Ａ. ０ Ｂ.12 Ｃ. 15 D.27
第4章常用半导体器件-选择复习题
