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第一章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V
五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE
＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB?VBB?UBE?26μARb
IC?? IB?2.6mAUCE?VCC?ICRC?2VUO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
IC? IB?VCC?UCES?2.86mARcIC??28.6μA
Rb?VBB?UBE?45.4k?IB七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所示。
ui/V10Otuo/V10Ot实用大全
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1.4 ui和uo的波形如图所示。
ui/V53O-3tuO/V3.7O-3.7t 1.5 uo的波形如图所示。
uI1/V30.3OtuI2/V30.3OtuO/V3.71Ot 1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO?RL?UI?3.33V
R?RL 当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。 当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）IDZ?(UI?UZ)R?29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。
（2）Rmin?(V?UD)IDmax?233?，Rmax?(V?UD)IDmin?700?。
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1.11 波形如图所示。
uI/V630uO1/V30ttuO2/V30t 1.12 60℃时ICBO≈32μA。
1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。 1.14
1.01mA5mA(a)(b) 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表 T1 T2 T3 T4 管号 e c e b 上 b b b e 中 c e c c 下 PNP NPN NPN PNP 管型 Si Si Si Ge 材料 1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为
T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge IBQ?VBB?UBEQRbVBB?UBEQRb?60μA，ICQ?? IBQ?3mA，uO?VCC?ICQRC?9V
当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为
IBQ??160μA，ICQ?? IBQ?8mA，uO?VCC?ICQRC＜UBE
1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则 ??VCC?UBEVCC?UBER?，Rb?? RC，所以??b?100管子饱和。
RbRCRC 1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为
IB?ICuI?UBE?480μARb ??IB?24mA
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UEC?VCC?ICRC＜VCC
1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能 1.20 根据方程
iD?IDSS(1?uGS2)
UGS(th)逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21
1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
2章
第二章 基本放大电路
自测题
一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
(VCC?UCEQ)? IBQ 3 三、（1）(VCC?UBEQ)IBQ 565 ； （2）?UoUi -120 ；RL'?Uo 0.3
RC＋RL 四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、
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习题
2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大
2.2（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
.UiR1R2R3.Uo.UiR1R4.Uo(a)(b).UiR2R3R4.Uo.UiRL(d).Uo(c) 2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√
（9）√ （10）× （11）× （12）√
2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7
Q：IBQ?VCC?UBEQRb?UBEQR?22μA ICQ?? IBQ?1.76mA空载时：UCEQ?VCC?ICQRc?6.2V， rbe?rbb'?(1??)??? Au26mV?1.3k?IEQ
? Rcrbe??308 Ri?Rb∥rbe?rbe?1.3k??? Ausrbe???93?AuRs?rbe Ro?Rc?5k?实用大全
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
