FinFET工艺器件保护环

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410725319.0 （22）申请日 2014.12.02

（71）申请人 中国科学院微电子研究所

地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3#

（10）申请公布号 CN105720087A

（43）申请公布日 2016.06.29

（72）发明人 赵劼;钟汇才

（74）专利代理机构 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 陈红

（51）Int.CI

H01L29/06; H01L29/78;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

FinFET工艺器件保护环

（57）摘要

一种FinFET工艺器件保护环，包括：有

源区；多个鳍片结构，形成在有源区之上且沿第一方向延伸分布；多个接触孔，分布在多个鳍片结构之间，接触有源区；布线层，分布在有源区之上，与多个接触孔电连接。依照本发明的FinFET器件保护环，在器件外围区域保护环中仅在鳍片延伸方向添加交替设置的鳍片和接触孔，

以低成本、高效率地防止FinFET器件的闩锁效应。

法律状态

法律状态公告日

2016-06-29 2016-06-29 2016-07-27 2016-07-27 2019-06-14

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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