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计算机专业基础综合(存储器系统的层次结构)-试卷1

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计算机专业基础综合(存储器系统的层次结构)-试卷1

(总分:72.00,做题时间:90分钟)

一、 单项选择题(总题数:24,分数:48.00)

1.单项选择题1-40小题。下列每题给出的四个选项中,只有一个选项是最符合题目要求的。(分数:2.00) __________________________________________________________________________________________ 解析:

2.下列关于存储系统层次结构的说法中,不正确的是( )。 (分数:2.00)

A.存储层次结构中,离CPU越近的存储器速度越快,价格越贵,容量越小 B.Cache-主存层次设置的目的是为了提高主存的等效访问速度 C.主存一辅存层次设置的目的是为了提高主存的等效存储容量 D.存储系统层次结构对程序员都是透明的 √

解析:解析:此题考查的知识点:存储系统层次结构的基本概念。Cache-主存层次对所有程序员都是透明的。主存一辅存层次只对应用程序员透明,对系统程序员不透明。 3.存储器的存取周期与存储器的存取时间的关系是( )。 (分数:2.00)

A.存取周期大于存取时间 √ B.存取周期等于存取时间 C.存取周期小于存取时间 D.存取周期与存取时间关系不确定

解析:解析:此题考查存储器存取周期与存取时间的概念及其关系。存取周期是存储器进行连续地读或写操作允许的最短时间间隔,存取时间是存储器进行一次读或写操作所需的平均时间。 4.以下几种存储器中,存取速度最快的是( )。 (分数:2.00) A.Cache B.寄存器 √ C.内存 D.光盘

解析:解析:存储层次结构中,离CPU越近的存储器速度越快,价格越贵,容量越小。寄存器就是离CPU最近的存储器。

5.属于易失性存储器的是( )。 (分数:2.00) A.E PROM B.Cache √ C.Flash Memory D.CD-ROM

解析:解析:易失性存储器包括Cache。 6.虚拟存储器理论上的最大容量取决于( )。 (分数:2.00) A.辅存容量 B.主存容量 C.虚地址长度 √ D.实地址长度

解析:解析:虚地址和实地址是虚拟存储器的两个基本概念,虚拟存储器的最大容量取决于虚地址长度,主存储器的最大容量取决于实地址长度。

7.下列存储保护方案中,不是针对“地址越界”访存违例的是( )。 (分数:2.00)

2

A.界限保护 B.键保护 C.环保护

D.设置访问权限位 √

解析:解析:设置访问权限位是针对“访问越权”访存违例的。 8.下列关于DRAM刷新的说法中,错误的是( )。 (分数:2.00)

A.刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电

B.刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现 C.由于DRAM 内部设有专门的刷新电路,所以访存期间允许进行刷新 √ D.刷新期间不允许访存,这段时间称为“访存死区(也叫死时间)” 解析:解析:DRAM在访存期间不允许刷新。 9.下列关于ROM和RAM的叙述中,正确的是( )。 (分数:2.00)

A.CD-ROM实质上是ROM

B.Flash是对RAM的改进,可以实现随机存取 C.RAM的读出方式是破坏性读出,因此读后需要再生 D.只有DRAM读后需要刷新 √

解析:解析:CD-ROM是光盘存储器,是一种机械式的存储器,与ROM有本质的区别,选项A错误。Flash存储器是E PROM的改进产品,虽然它也可以实现随机存取,但从原理上讲仍属于ROM,而且RAM是易失性存储器,选项B错误。DRAM的读出方式并不是破坏性的,读出后不需再生,选项C错误。SRAM采用双稳态触发器来记忆信息,因此不需要再生;而DRAM采用电容存储电荷的原理来存储信息,只能维持很短的时间,因此需要再生,选项D正确。

10.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是( )。 (分数:2.00) A.Ⅰ和Ⅱ B.Ⅱ和Ⅲ √ C.Ⅲ和Ⅳ D.Ⅰ和Ⅳ

解析:解析:DRAM的集成度高于SRAM,SRAM的速度高于DRAM,可以推出DRAM的成本低于SRAM。SRAM芯片工作时不需要刷新,DRAM芯片工作时需要刷新。随机存储器RAM可分为静态和动态两种。SRAM由6个MOS管组成一个记忆单元,它的存取速度快,但集成度低,功耗也较大;DRAM由4个MOS管或单个MOS管组成一个记忆单元,它的集成度高,功耗小,但存取速度慢。DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的,栅极电容上的电荷数目会随着时间推移逐步泄漏,因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷,这个过程称为刷新。

11.下列关于DRAM刷新的说法中,错误的是( )。 (分数:2.00)

A.刷新操作按行进行,一次刷新一行中的全部存储单元

B.刷新所需的行地址由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出 C.集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间” D.分散刷新方式同样存在“死时间” √ 解析:解析:分散刷新方式不存在死时间。 12.下列关于Cache的说法中,正确的是( )。 (分数:2.00)

A.采用直接映像时,Cache无需考虑替换问题 √

B.如果选用最优替换算法,则Cache的命中率可以达到100% C.Cache本身的速度越快,则Cache存储器的等效访问速度就越快

2

D.Cache的容量与主存的容量差别越大越好

解析:解析:由于主存块是在不命中时被装入Cache,所以Cache命中率不可以达到100%。命中率比Cache本身速度对Cache的等效访问速度影响更大。

13.“小端次序”的机器上,四字节数据12345678H按字节地址由小到大依次存在为( )。 (分数:2.00) A.12345678H B.56781234H C.34127856H D.78563412H √

解析:解析:此题考查小端次序的基本概念。

14.为了提高访问主存中信息的速度,要求“信息按整数边界存储(对齐方式存储)”,其含义是( )。 (分数:2.00)

A.信息的字节长度必须是整数

B.信息单元的存储地址是其字节长度的整数倍 √ C.信息单元的字节长度必须是整数 D.信息单元的存储地址必须是整数

解析:解析:此题考查“信息按整数边界存储”的概念。

15.某存储系统中,主存容量是Cache容量的1024倍,Cache被分为8个块,当主存地址和Cache地址采用直接映像方式时,地址映射表的大小应为( )。(假设不考虑一致维护位。) (分数:2.00) A.6×1025bits B.8×10bits C.6×1024bits D.8×11bits √

解析:解析:由于Cache被分为8个块,那么Cache有8行,采用直接映像,一行相当于一组。故该标记阵列每行存储1个标记项,其中主存标记项为10bits(2 =1024,是Cache容量的1024倍,那么就是地址长度比Cache长10位),加上1位有效位,即为8×11bits。 16.下面说法中正确的是( )。 (分数:2.00)

A.有了稳定的地址和写入的数据,再有了片选信号才能给出写命令,以便保证无误的写操作 B.有了稳定的地址与片选信号才可以读

C.信号应有一定的持续时间,以保证读写操作得以正常完成 D.以上说法都正确 √

解析:解析:存储器读写操作时,地址信号、片选信号、读写命令、读出的数据或写入的数据,它们之间在时序配合上要满足以下这些条件:有了稳定的地址与片选信号才可以读;有了稳定的地址和写入的数据,再有了片选信号才能给出写命令,以便保证无误的写操作。此外,这些信号应有一定的持续时间,以保证读写操作得以正常完成。

17.虚拟存储器中的页表有快表和慢表之分,下面关于页表的叙述中正确的是( )。 (分数:2.00)

A.快表与慢表都存储在主存中,但快表比慢表容量小 B.快表采用了优化的搜索算法,因此查找速度快

C.快表比慢表的命中率高,因此快表可以得到更多的搜索结果

D.快表采用高速存储器件组成,按照查找内容访问,因此比慢表查找速度快 √

解析:解析:快表采用的是相联存储器,而不是依赖搜索算法来查找的,而慢表通常是依赖于查找算法,故选项A和B错误。快表的命中率有可能高于慢表,但快表仅是慢表的一个部分拷贝,不能得到比慢表更多的结果,因此选项C错误。

18.已知Cache命中率H=0.98,主存比Cache慢4倍,已知主存的存取周期为200ns,Cache/主存的效率是( )。 (分数:2.00)

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计算机专业基础综合(存储器系统的层次结构)-试卷1

计算机专业基础综合(存储器系统的层次结构)-试卷1(总分:72.00,做题时间:90分钟)一、单项选择题(总题数:24,分数:48.00)1.单项选择题1-40小题。下列每题给出的四个选项中,只有一个选项是最符合题目要求的。(分数:2.00)__________________________________________________
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