R2C=GeH2和R2Ge=CH2结构与成键特征的理论研究
耿志远;贾宝丽;王永成;姚琨;方冉;张兴辉
【期刊名称】《化学学报》 【年(卷),期】2006(064)019
【摘要】用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-31+G(d,p)水平上研究了取代基对二
取
代
锗
烯
R2Ge=CH2
和
R2C=GeH2[R=H,OH,NH2,SH,PH2,F,Cl,Br,(NHCH)2,CH3,(CH)2]的影响.研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化.碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强,R2C的单-三态能量差越大,π电子的反极化效应就越强,使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显,从而使得弯曲结构更稳定.和前人的计算相比,碳上的给电子取代基对GeH2结构影响大于它对SiH2的影响.
【总页数】7页(1974-1980)
【关键词】密度泛函理论;锗烯;反极化效应 【作者】耿志远;贾宝丽;王永成;姚琨;方冉;张兴辉
【作者单位】西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,兰州,730070;西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,兰州,730070;西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,兰州,730070;西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,兰州,730070;西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,兰州,730070;西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,兰州,730070
【正文语种】中文 【中图分类】O6 【相关文献】
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R2C=GeH2和R2Ge=CH2结构与成键特征的理论研究
