一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵
宏潇;陈后鹏;宋志棠;刘波
【期刊名称】《电路与系统学报》 【年(卷),期】2013(018)001
【摘要】设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟.与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强.根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声.仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有1 lmV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB.电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60μm×55μm.%A low phase noise,low power charge pump for the PLL clock of phase change memory drive circuit is presented.Comparing different structure circuit,the proposed charge pump has strong immunity to the clock feedback and charge injection.Based on the low noise requirement of phase change memory,the charge pump has low heat noise and 1/f noise.The maximum deviation of output voltage is only 1 lmV within temperature range from 0℃ to 80℃.The phase noise is -102dB@1MHz with PFD circuit.Fabricated in CMOS 40rnm process,the device occupies the area of 60μ.m×55μm,and consumes 0.125mW of power from a single 2.5V supply. 【总页数】4页(449-452)
【关键词】电荷泵;锁相环;相位噪声;相变存储器
【作者】宏潇;陈后鹏;宋志棠;刘波
【作者单位】中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050 【正文语种】中文 【中图分类】TN432 【文献来源】
https://www.zhangqiaokeyan.com/academic-journal-cn_journal-circuits-systems_thesis/0201234055225.html 【相关文献】
1.一种用于时钟产生的低功耗电荷泵锁相环设计 [J], 彭娟; 杨军; 陆生礼 2.一种用于锁相环的新型全差分电荷泵结构 [C], 李栋; 宁宁; 于奇 3.一种用于高速锁相环的新型电流镜电荷泵电路 [C], 刘本丽; 蒋湘 4.一种适用于高速锁相环的鉴频鉴相器 [C], 张丽娟; 蔡敏; 刘阳 5.用于频率综合的电荷泵锁相环电路设计 [J], 冷思明; 张海鹏
以上内容为文献基本信息，获取文献全文请下载
一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵
