详解光耦EL817的重要参数

详解光耦 EL817 的重要参数

详解光耦EL817的重要参数一一CTRfi CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流 比的最小值。隔离电压 : 发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。

光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降 VF、正向电流IF、电流传输比 CTR输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、 下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

集电极-发射极电压 : 集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通 ? 什么时候截至 ?普通光耦合器的 CTR-IF 特性曲线呈非线性，在 IF 较小时的非线性 失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的 有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比 IF）

很接近于直流电流传输比CTRfi。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输 出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。

电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电 压保持恒定时，它等于直流输出电流 IC 与直流输入电流 IF 的百分比。采用一只光 敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%如4N35），而pc817则为 80%,160%台湾亿光（如EL817）可达50%,600%这表明欲获得同样的输出电流，后 者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。

使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路 时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压 的标准；由台湾亿光生成生产的EL817系列（如EL817B-F EL817C-F）光耦合器，目 前在国

CTR-IF特性曲线具

（△ CTR衣IC/ △

内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传

输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具 有较高的耦合系数。

在开关电源的隔离中，以及设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦 合器的型号及参数，除了必须遵循普通光耦的选取原则外，还必须遵循下列原则 ： 1、 推荐采用线性光耦合器，其特点是 CTR值能够在一定范围内做线性调整 2、 光耦合器的电流传输比（CTR）的允许范围是50%,200%这是因为当

CTRV50时，光耦中的LED就需要较大的工作电流（IF>5.0mA），才能正常控制 单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若 CTR>200%在启动电路或者 当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。

3、 若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合 器的温度不稳定性和漂移。

以下是亿光光电耦合器EL817的一些参数：

Modal MQ. [EL&17 EL817 Rank mark CTR （钿 50 to 600 L A 50 to 1Q0 JF - 5 mA Ta - 2S C 50 IQ 160 ]EL817 ELS17

B C 300 to 4Q0