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华南理工大学电力电子技术课程设计报告

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图H7C4材料磁芯的B-H特性

实际使用时,磁芯温度约为100℃,需要确保Bm为线性范围,因此Bm在3000高斯以下。但正向激励开关电源是单向励磁,设计时需要减小剩磁(利于磁复位)——剩磁随磁芯温度以及工作频率而改变。此处,工作频率为200kHz,则剩磁约减为1000高斯,即磁通密度的线性变化范围?Bm为2000高斯。

根据上式,得

N1=

VImin?tONmax250?2.25 ?104??104≈33.1匝,取整数33匝。

?Bm?S2000?85因此,变压器次级的匝数N2为

N2=N1/N=33/8.79=3.75匝,取整数4匝。

当N=N1/N2=33/4=8.25。所以,计算最大占空比Dmax为

Dmax=

?VO?VF?VL??N=?12?0.5?0.3??8.25≈42.4%

VImin250也就是说,选定变压器初、次级绕组分别为33和4匝,为了满足最低输入电压时还能保证输出电压正常,开关电源的最大占空比Dmax约为42.4%,开关管的最大导通时间tONmax约为2.11μs。下面有关参数的计算以校正后的Dmax(=42.4%)和tONmax(=2.11μs)。同时,计算出输出最低电压V2min约为30.3V。 5.2.5变压器次级输出电压的计算

1.计算扼流圈的电感量

流经输出扼流圈的电流?IL如下图所示,则?IL为

V2min??VF?VO??tONmax

L式中,L为输出扼流圈的电感(μH)。

?IL=

图1-28扼流圈中的电流波形

这里选?IL为输出电流IO(=5A)的10%~30%,从扼流圈的外形尺寸、成本、过程响应等方面考虑,此值比较适宜。因此,按?IL为IO的20%进行计算。

?IL=IO?0.2=5?0.2=1A

由上式求得

L=

28.4??0.5?12??2.11≈34.5μH

1如此,采用电感量为34.5μH,流过平均电流为5A的扼流圈。

若把变压器次级的输出电压与电流波形合并在一起,如图所示。在tON期间,

V2为幅度30.3V的正脉冲,VD1导通期间扼流圈电流线性上升,电感励磁、磁通量增大;在tOFF期间,V2为幅度V1'/N的负脉冲,VD1截止、VD2导通,扼流圈电流线性下降,电感消磁,磁通量减小。输出给负载的平均电流IO为5A。稳态时,扼流圈的磁通增大量等于减小量。

图次级的电压与电流波形

2.计算输出电容的电容量

输出电容大小主要由输出纹波电压抑制为几mV而确定。输出纹波电压?Ir由?IL以及输出电容的等效串联电阻ESR1确定,但输出纹波一般为输出电压的0.3%~0.5%。

?Ir=

?0.3~0.5??VO=?0.3~0.5??12=36~60mV

100100?Ir=?IL?ESR

由上式求得

ESR=

?Ir36~60==36~60mΩ

1?IL即工作频率为200kHz时,需要选用ESR值60mΩ以下的电容。适用于高频可查电容技术资料,例如,用4700μF/50V的电容,其ESR值为150mΩ,可选3个这样的电容并联。另外,需要注意低温时ESR值变大。

流经电容的纹波电流IC2rms为

IC2rms=

1?IL=≈0.28868A 2?32?3因此,每一个电容的纹波电流约为0.09627A,因为这里有3个电容并联。

ESR,是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写,翻译过来就是“等效串联电阻”。ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。ESR是等效“串联”电阻,意味着将两个电容串联会增大这个数值,而并联则会减少之。

此外,选用电容时还要考虑到负载的变化、电流变化范围、电流上升下降时间、输出扼流圈的电感量,使电压稳定的环路的增益等,它们可能使电容特性改变。 5.2.6 恢复电路设计

1.计算恢复绕组的匝数

恢复电路如图所示。VT1导通期间变压器T1的磁通量增大,T1蓄积能量;VT1截止期间释放蓄积的能量,磁通返回到剩磁。

图恢复电路(VT1截止时)

电路中T1上绕有恢复绕组N3,因此VT1截止期间,原来蓄积在变压器中的能量通过VD4反馈到输入侧(CI暂存)。由于VT1截止期间,恢复绕组N3两端的自感电压限制为输入电压VI的数值,惟其如此,VD4才能把存储在N3中的磁场能转化为电场能反馈到输入侧。这时变压器初级感应电压为

V1'=

N1?VI N3式中,V1'是N1的感应电压,极性为上负下正;VI是N3的自感电压,极性也是上负下正(等于电源电压)。

若主开关元件的耐压为800V,使用率为85%,即V1'?VImax?800?0.85=680V。

V1'?680-340=340V

??求得

N3?N1?VImax33?340==33匝,取整数33匝。

340V1'2.计算主绕组感应电压 当VImax=350V,根据上式,得

V1'=

33?340≈340V 33

5.2.7 计算RCD吸收电路的电阻与电容

VT1导通期间储存在T1中的能量为

2VI2?tON) E1=

2L1式中,L1为变压器初级的电感量。

VT1截止期间,初级感应电压使VD3导通,磁场能转化为电场能,在R1上以热量形式消耗掉。R1中消耗的热量为

V1'2?T E2=R1因为E1=E2,联立整理得

V1'=

R1?VI?tON 2L1T因为输入电压最高VImax时开关管导通时间tONmin最短,把上式中的VI换成

VImax,tON换成tONmin,加在VT1上的最大峰值电压Vdsp为

??R1??tONmin?Vdsp=VImax+V=VImax??1?? 2LT1??'1由此,求得R1为

?Vdsp?L1T??2??1? R1=??t2VONmin?Imax?2又,当输入电压VImax时,tONmin为

tONmin=tONmax?250VImin=1.9?≈1.35μs

340VImax式中,初级的电感量L1是未知数,下面求解。

华南理工大学电力电子技术课程设计报告

图H7C4材料磁芯的B-H特性实际使用时,磁芯温度约为100℃,需要确保Bm为线性范围,因此Bm在3000高斯以下。但正向激励开关电源是单向励磁,设计时需要减小剩磁(利于磁复位)——剩磁随磁芯温度以及工作频率而改变。此处,工作频率为200kHz,则剩磁约减为1000高斯,即磁通密度的线性变化范围?Bm为2000高斯。根据上式,得
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