铝诱导层交换超薄多晶硅薄膜制备及压阻特性

铝诱导层交换超薄多晶硅薄膜制备及压阻特性

作者：王成龙;马军;范多旺;邢达;刘颂豪

作者机构：兰州交通大学国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心，甘肃 兰州 730070;兰州交通大学国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心，甘肃 兰州 730070;兰州交通大学国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心，甘肃 兰州 730070; 兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室，甘肃 兰州 730070;华南师范大学信息光电子科技学院，广东 广州 510631;华南师范大学信息光电子科技学院，广东 广州 510631 来源：光谱学与光谱分析 ISSN：1000-0593 年：2015 卷：000 期：002 页码：474-478 页数：5

中图分类：TN3040 正文语种：chi

关键词：压阻特性;超薄多晶硅薄膜;铝诱导层交换;应变系数

摘要：超薄多晶硅薄膜具有优异的压敏特性。铝诱导层交换（ALILE）制备多晶硅薄膜具有成膜温度低薄膜性能优良等特点。利用ALILE方法在玻璃基底上低温条件下制备了50 nm超薄多晶硅（poly-Si）薄膜，并对薄膜微观结构及压阻特性进行了研究。Raman光谱在521 cm－1出现尖锐、对称的特征峰，表明超薄多晶硅薄膜晶化状态良好。此外，在拉曼光谱480 cm－1处没有明显出现a-Si的Raman特征峰也说明制备的poly-Si 薄膜样品完全结晶；XRD光谱表明ALILE制备薄膜在（111）和（220）晶向择优生长，晶粒尺寸约5μm；霍尔效应测试结果表明：ALILE制备薄膜为p型掺杂，空穴浓度为9×1018～

6×1019 cm－3；压阻特性研究表明：ALILE超薄多晶硅薄膜应变系数（GF）达到了60以上，且与薄膜厚度相关；应变温度相关系数（TCGF）在－0．17～0％℃范围内；电阻温度相关系数（TCR）在－0．2～－0．1％℃范围内。ALILE超薄多晶硅薄膜具有GF大、TCGF小和TCR小等特点。因此，有望在压力传感器领域得到应用。