碳化硅功率模块封装技术进展

碳化硅功率模块封装技术进展

曹峻;张兆强

【期刊名称】《集成电路应用》 【年(卷),期】2018(035)008

【摘要】近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注.与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈.从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展. 【总页数】5页(20-24)

【关键词】宽禁带半导体;碳化硅;模块;封装技术 【作者】曹峻;张兆强

【作者单位】上海瞻芯电子科技有限公司,上海 201306;复旦大学材料科学系,上海 200433 【正文语种】中文

【中图分类】TN303;TN405 【相关文献】

1.碳化硅SiC功率电子开关模块设计和封装 [C], 王世杰; 朱纪军; 洪思忠 2.基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器 [J], 李宇雄; 黄志召; 方建明; 陈材; 康勇

3.高温高压碳化硅功率器件封装技术研究 [J], 赵妙[1]; 许恒宇[1]; 杨谦[1]; 吴昊[2]; 杨霏[2]; 杨成樾[1]; 丁武昌[1]; 金智[1]; 刘新宇[1]

4.1200V、550A碳化硅DHOSFET对偶模块的特性 [J], 许平; 刘鹿生（译） 5.英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块在PCIM上推出CoolSiC系列产品的其他型号 [J],

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